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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCH76N60N
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FCH76N60N - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FCH76N60N
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FCH76N60N
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 76A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
FCH76N60N.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 2497

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FCH76N60N
Specifiche tecniche onsemi - FCH76N60N, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FCH76N60N

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie SupreMOS™  
Rds On (max) a Id, Vgs 36mOhm @ 38A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 543W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12385 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 285 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 76A (Tc)  
Numero di prodotto di base FCH76N60  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FCH76N60N

Proprietà del prodotto FCH76N60N FCH76N60NF FCH47N60N FCH47N60-F133
Modello di prodotti FCH76N60N FCH76N60NF FCH47N60N FCH47N60-F133
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 36mOhm @ 38A, 10V 38mOhm @ 38A, 10V 62mOhm @ 23.5A, 10V 70mOhm @ 23.5A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12385 pF @ 100 V 11045 pF @ 100 V 6700 pF @ 100 V 8000 F @ 25 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie SupreMOS™ SupreMOS™ SupreMOS™ SuperFET® II
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 76A (Tc) 72.8A (Tc) 47A (Tc) 47A (Tc)
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V
Pacchetto Tube Bulk Bulk Tube
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-247 TO-247 TO-247-3
Dissipazione di potenza (max) 543W (Tc) 543W (Tc) 368W (Tc) 417W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base FCH76N60 - - FCH47N60
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 285 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V 270 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -

FCH76N60N Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FCH76N60N PDF e la documentazione onsemi per FCH76N60N - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mold Compound Change 17/Dec/2021.pdf
Schede tecniche
FCH76N60N.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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