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Nord America
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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor - Bipolare (BJT) - Array, pre -polarizzatoEMG2DXV5T1G
EMG2DXV5T1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

EMG2DXV5T1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
EMG2DXV5T1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-EMG2DXV5T1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
Pacchetto
SOT-553
Scheda dati
EMG(2,5)DXV5T1.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4770

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Specifiche

Specifiche tecnologiche EMG2DXV5T1G
Specifiche tecniche onsemi - EMG2DXV5T1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - EMG2DXV5T1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA  
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-553  
Serie -  
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms  
Resistor - Base (R1) 47kOhms  
Potenza - Max 230mW  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro SOT-553  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA  
Numero di prodotto di base EMG2DX  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi EMG2DXV5T1G

Proprietà del prodotto EMG2DXV5T1G EMG2DXV5T5 EMG4T2R EMG6T2R
Modello di prodotti EMG2DXV5T1G EMG2DXV5T5 EMG4T2R EMG6T2R
fabbricante onsemi onsemi Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V 50V 50V 50V
Numero di prodotto di base EMG2DX EMG2DX EMG4T2 EMG6T2
Serie - - - -
Potenza - Max 230mW 230mW 150mW 150mW
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA 100mA 100mA 100mA
Frequenza - transizione - - 250MHz 250MHz
Contenitore dispositivo fornitore SOT-553 SOT-553 EMT5 EMT5
Tipo transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) 47kOhms 47kOhms - -
Resistor - Base (R1) 47kOhms 47kOhms 10kOhms 47kOhms
Contenitore / involucro SOT-553 SOT-553 6-SMD (5 Leads), Flat Lead 6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA 500nA - 500nA (ICBO)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V 80 @ 5mA, 10V 100 @ 1mA, 5V 100 @ 1mA, 5V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA 250mV @ 300µA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA

EMG2DXV5T1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica EMG2DXV5T1G PDF e la documentazione onsemi per EMG2DXV5T1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
EMG(2,5)DXV5T1.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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    +00852 9146 4856

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