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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCPH3341-TL-E
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CPH3341-TL-E - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
CPH3341-TL-E
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-CPH3341-TL-E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 30V 5A 3CPH
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SC-96
Scheda dati
CPH3341.pdf
In magazzino: 116760

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Specifiche

Specifiche tecnologiche CPH3341-TL-E
Specifiche tecniche onsemi - CPH3341-TL-E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - CPH3341-TL-E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id -  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 3-CPH  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 2.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 1.2W (Ta)  
Contenitore / involucro SC-96  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1115 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21.8 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi CPH3341-TL-E

Proprietà del prodotto CPH3341-TL-E CPH3331-TL-E CPH3348-TL-E CPH3327-TL-E
Modello di prodotti CPH3341-TL-E CPH3331-TL-E CPH3348-TL-E CPH3327-TL-E
fabbricante onsemi Sanyo Sanyo onsemi
Dissipazione di potenza (max) 1.2W (Ta) - 1W (Ta) 1W (Ta)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 30 V - 12 V 100 V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta) - 3A (Ta) 600mA (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 21.8 nC @ 10 V - 5.6 nC @ 4.5 V 7 nC @ 10 V
Rds On (max) a Id, Vgs 45mOhm @ 2.5A, 10V - 70mOhm @ 1.5A, 4.5V 1.45Ohm @ 300mA, 10V
Contenitore / involucro SC-96 - SC-96 SC-96
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1115 pF @ 10 V - 405 pF @ 6 V 245 pF @ 20 V
Tipo FET P-Channel - P-Channel P-Channel
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Contenitore dispositivo fornitore 3-CPH - 3-CPH 3-CPH
Serie - * - -

CPH3341-TL-E Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica CPH3341-TL-E PDF e la documentazione onsemi per CPH3341-TL-E - onsemi.

Schede tecniche
CPH3341.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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