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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloBDX33B
BDX33B Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

BDX33B - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
BDX33B
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-BDX33B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN DARL 80V 10A TO220
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
TO220B03 Pkg Drawing.pdf
BDX33(34)B,C.pdf
BDX33/A/B/C.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4470

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BDX33B
Specifiche tecniche onsemi - BDX33B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - BDX33B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 2.5V @ 6mA, 3A  
Tipo transistor NPN - Darlington  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Potenza - Max 70 W  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 500µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 10 A  
Numero di prodotto di base BDX33  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS RoHS non conforme
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi BDX33B

Proprietà del prodotto BDX33B BDX34A BDX33B BDX34B
Modello di prodotti BDX33B BDX34A BDX33B BDX34B
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Pacchetto Tube Bulk Bulk Bulk
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequenza - transizione - - - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 500µA 500µA 500µA 500µA
Numero di prodotto di base BDX33 - - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V 60 V 80 V 80 V
Corrente - collettore (Ic) (max) 10 A 10 A 10 A 10 A
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 750 @ 3A, 3V 750 @ 4A, 3V 750 @ 3A, 3V 750 @ 3A, 3V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 2.5V @ 6mA, 3A 2.5V @ 8mA, 4A 2.5V @ 6mA, 3A 2.5V @ 6mA, 3A
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Serie - - - -
Potenza - Max 70 W 70 W 70 W 70 W
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo transistor NPN - Darlington PNP NPN - Darlington PNP - Darlington

BDX33B Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BDX33B PDF e la documentazione onsemi per BDX33B - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
TO220B03 Pkg Drawing.pdf BDX33(34)B,C.pdf BDX33/A/B/C.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 30/Jun/2006.pdf Multiple Devices 14/Mar/2011.pdf
PCN Design/Specifica
Lead Frame Dimensions 29/Nov/2007.pdf

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Tempi di consegna

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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