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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloBD435S
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BD435S - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
BD435S
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-BD435S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 32V 4A TO126-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-225AA, TO-126-3
Scheda dati
BD433/435/437.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5280

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BD435S
Specifiche tecniche onsemi - BD435S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - BD435S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 32 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-126-3  
Serie -  
Potenza - Max 36 W  
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 3MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 4 A  
Numero di prodotto di base BD435  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi BD435S

Proprietà del prodotto BD435S BD435S BD434STU BD437S
Modello di prodotti BD435S BD435S BD434STU BD437S
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 5V 40 @ 10mA, 5V 40 @ 10mA, 5V 30 @ 10mA, 5V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Pacchetto Bulk Bulk Tube Bulk
Corrente - collettore (Ic) (max) 4 A 4 A 4 A 4 A
Frequenza - transizione 3MHz 3MHz 3MHz 3MHz
Potenza - Max 36 W 36 W 36 W 36 W
Numero di prodotto di base BD435 BD435 BD434 BD437
Contenitore dispositivo fornitore TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 32 V 32 V 22 V 45 V
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3
Tipo transistor NPN NPN PNP NPN
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA 100µA 100µA 100µA
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 200mA, 2A 600mV @ 200mA, 2A
Serie - - - -

BD435S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BD435S PDF e la documentazione onsemi per BD435S - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 16/Jul/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices Mold change 19/Mar/2019.pdf
Schede tecniche
BD433/435/437.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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