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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloBD433S
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BD433S - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
BD433S
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-BD433S
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 22V 4A TO126-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-225AA, TO-126-3
Scheda dati
BD433/435/437.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4260

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BD433S
Specifiche tecniche onsemi - BD433S, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - BD433S

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 22 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-126-3  
Serie -  
Potenza - Max 36 W  
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 3MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 4 A  
Numero di prodotto di base BD433  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi BD433S

Proprietà del prodotto BD433S BD434STU BD434S BD434S
Modello di prodotti BD433S BD434STU BD434S BD434S
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 200mA, 2A 500mV @ 200mA, 2A
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Numero di prodotto di base BD433 BD434 - BD434
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Pacchetto Bulk Tube Bulk Bulk
Corrente - collettore (Ic) (max) 4 A 4 A 4 A 4 A
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 22 V 22 V 22 V 22 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3
Potenza - Max 36 W 36 W 36 W 36 W
Serie - - - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA 100µA 100µA 100µA
Frequenza - transizione 3MHz 3MHz 3MHz 3MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 5V 40 @ 10mA, 5V 40 @ 10mA, 5V 40 @ 10mA, 5V
Tipo transistor NPN PNP PNP PNP

BD433S Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BD433S PDF e la documentazione onsemi per BD433S - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 08/Jul/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Chgs 17/Nov/2020.pdf
Schede tecniche
BD433/435/437.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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