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Nord America
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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singoloBD238G
BD238G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

BD238G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
BD238G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-BD238G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 80V 2A TO126
Pacchetto
TO-225AA, TO-126-3
Scheda dati
BD234,237,238.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 3840

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BD238G
Specifiche tecniche onsemi - BD238G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - BD238G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore TO-126  
Serie -  
Potenza - Max 25 W  
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 3MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 2 A  
Numero di prodotto di base BD238  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Not Applicable
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi BD238G

Proprietà del prodotto BD238G BD239CTU BD239C BD240A
Modello di prodotti BD238G BD239CTU BD239C BD240A
fabbricante onsemi onsemi STMicroelectronics onsemi
Pacchetto Bulk Tube Tube Bulk
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 80 V 100 V 100 V 60 V
Corrente - collettore (Ic) (max) 2 A 2 A 2 A 2 A
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 600mV @ 100mA, 1A 700mV @ 200mA, 1A 700mV @ 200mA, 1A 700mV @ 200mA, 1A
Frequenza - transizione 3MHz - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-126 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base BD238 BD239 BD239 BD240
Tipo transistor PNP NPN NPN PNP
Potenza - Max 25 W 30 W 2 W 30 W
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 150mA, 2V 15 @ 1A, 4V 15 @ 1A, 4V 15 @ 1A, 4V
Serie - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Contenitore / involucro TO-225AA, TO-126-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Corrente - Cutoff collettore (max) 100µA (ICBO) 300µA 300µA 300µA

BD238G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BD238G PDF e la documentazione onsemi per BD238G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
DK OBS NOTICE.pdf
Schede tecniche
BD234,237,238.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
Contattaci se hai domande.

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