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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloATP216-TL-H
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

ATP216-TL-H - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
ATP216-TL-H
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-ATP216-TL-H
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
ATPAK (2 leads+tab)
Scheda dati
ATP216.pdf
In magazzino: 3650

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche ATP216-TL-H
Specifiche tecniche onsemi - ATP216-TL-H, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - ATP216-TL-H

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±10V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore ATPAK  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 18A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)  
Contenitore / involucro ATPAK (2 leads+tab)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 50 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Ta)  
Numero di prodotto di base ATP216  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi ATP216-TL-H

Proprietà del prodotto ATP216-TL-H ATP213-TL-H ATP302-TL-H ATP401-TL-H
Modello di prodotti ATP216-TL-H ATP213-TL-H ATP302-TL-H ATP401-TL-H
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Tensione drain-source (Vdss) 50 V 60 V 60 V 60 V
Contenitore dispositivo fornitore ATPAK ATPAK ATPAK ATPAK
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) 50W (Tc) 70W (Tc) 90W (Tc)
Numero di prodotto di base ATP216 ATP213 ATP302 ATP401
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2700 pF @ 20 V 3150 pF @ 20 V 5400 pF @ 20 V 17000 pF @ 20 V
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V 58 nC @ 10 V 115 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±10V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 35A (Ta) 50A (Ta) 70A (Ta) 100A (Ta)
Contenitore / involucro ATPAK (2 leads+tab) ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 Leads+Tab) ATPAK (2 Leads+Tab)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 4V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs 23mOhm @ 18A, 4.5V 16mOhm @ 25A, 10V 13mOhm @ 35A, 10V 3.7mOhm @ 50A, 10V
Serie - - - -
Tipo FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel

ATP216-TL-H Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica ATP216-TL-H PDF e la documentazione onsemi per ATP216-TL-H - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Lead Frame Material Update 09/Apr/2014.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL 21/Apr/2016.pdf
Schede tecniche
ATP216.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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