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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-RF55GN01CA-TB-E
55GN01CA-TB-E Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

55GN01CA-TB-E - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
55GN01CA-TB-E
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-55GN01CA-TB-E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
55GN01CA.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 470700

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche 55GN01CA-TB-E
Specifiche tecniche onsemi - 55GN01CA-TB-E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - 55GN01CA-TB-E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 10V  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore 3-CP  
Serie -  
Potenza - Max 200mW  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Di rumore (dB tip @ f) 1.9dB @ 1GHz  
Tipo montaggio Surface Mount  
Guadagno 9.5dB  
Frequenza - transizione 4.5GHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V  
Corrente - collettore (Ic) (max) 70mA  
Numero di prodotto di base 55GN01  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi 55GN01CA-TB-E

Proprietà del prodotto 55GN01CA-TB-E 2N3500 NESG250134-T1-AZ LM3046MX
Modello di prodotti 55GN01CA-TB-E 2N3500 NESG250134-T1-AZ LM3046MX
fabbricante onsemi Solid State Inc. CEL Texas Instruments
Corrente - collettore (Ic) (max) 70mA 300mA 500mA 50mA
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V 40 @ 150mA, 10V 80 @ 100mA, 3V 40 @ 1mA, 3V
Tipo transistor NPN NPN NPN 5 NPN
Frequenza - transizione 4.5GHz 150MHz 10GHz -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 10V 150V 9.2V 15V
Serie - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore 3-CP TO-39 3-PowerMiniMold 14-SOIC
Potenza - Max 200mW 1W 1.5W 750mW
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-243AA 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo montaggio Surface Mount Through Hole Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base 55GN01 - NESG2501 LM3046
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) - -40°C ~ 85°C (TA)
Guadagno 9.5dB - 23dB -
Di rumore (dB tip @ f) 1.9dB @ 1GHz - - 3.25dB @ 1kHz

55GN01CA-TB-E Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 55GN01CA-TB-E PDF e la documentazione onsemi per 55GN01CA-TB-E - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
55GN01CA.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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