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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2SK536-TB-E
Sanyo
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2SK536-TB-E - Sanyo

fabbricante Modello di prodotti
2SK536-TB-E
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-2SK536-TB-E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
2SK536-TB-E.pdf
In magazzino: 3780

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SK536-TB-E
Specifiche tecniche Sanyo - 2SK536-TB-E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Sanyo - 2SK536-TB-E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 3-CP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 20Ohm @ 10mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 125°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 50 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Sanyo 2SK536-TB-E

Proprietà del prodotto 2SK536-TB-E 2SK543-4-TB-E 2SK531 2SK543-4-TB
Modello di prodotti 2SK536-TB-E 2SK543-4-TB-E 2SK531 2SK543-4-TB
fabbricante Sanyo onsemi TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora SAYNO
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
temperatura di esercizio 125°C (TJ) - - -
Tensione drain-source (Vdss) 50 V - - -
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Dissipazione di potenza (max) 200mW (Ta) - - -
Vgs (Max) ±12V - - -
Serie - * - -
Contenitore dispositivo fornitore 3-CP - - -
Pacchetto Bulk Bulk - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta) - - -
Tipo FET N-Channel - - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - - -
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 20Ohm @ 10mA, 10V - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 10 V - - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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