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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2SK4221
2SK4221 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2SK4221 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
2SK4221
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-2SK4221
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 26A TO3PB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
2SK4221 ~.pdf
In magazzino: 3810

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SK4221
Specifiche tecniche onsemi - 2SK4221, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - 2SK4221

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 240mOhm @ 13A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 220W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tray  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Ta)  
Numero di prodotto di base 2SK4221  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi 2SK4221

Proprietà del prodotto 2SK4221 2SK4212A-ZK-E1-AY 2SK425 2SK4212B-ZK-E1-AY
Modello di prodotti 2SK4221 2SK4212A-ZK-E1-AY 2SK425 2SK4212B-ZK-E1-AY
fabbricante onsemi Renesas Electronics America Inc REN Renesas Electronics Corporation
Vgs (Max) ±30V - - -
Tipo montaggio Through Hole - - -
Pacchetto Tray Bulk - -
Numero di prodotto di base 2SK4221 - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Tipo FET N-Channel - - -
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Serie - * - -
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 220W (Tc) - - -
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2250 pF @ 30 V - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 240mOhm @ 13A, 10V - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V - - -
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Ta) - - -
Tensione drain-source (Vdss) 500 V - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PB - - -

2SK4221 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2SK4221 PDF e la documentazione onsemi per 2SK4221 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
2SK4221 ~.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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