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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2SK3707
2SK3707 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

2SK3707 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
2SK3707
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-2SK3707
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 20A TO220ML
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
2SK3707.pdf
La nostra certificazione
In magazzino: 4920

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SK3707
Specifiche tecniche onsemi - 2SK3707, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - 2SK3707

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220ML  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 25W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta)  
Numero di prodotto di base 2SK3707  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi 2SK3707

Proprietà del prodotto 2SK3707 2SK3702 2SK3708 2SK3704
Modello di prodotti 2SK3707 2SK3702 2SK3708 2SK3704
fabbricante onsemi Sanyo onsemi Sanyo
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V 73 nC @ 10 V 67 nC @ 10 V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 25W (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc)
Rds On (max) a Id, Vgs 60mOhm @ 10A, 10V 55mOhm @ 9A, 10V 33mOhm @ 15A, 10V 14mOhm @ 23A, 10V
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 100 V 60 V
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220ML TO-220ML TO-220ML TO-220ML
Numero di prodotto di base 2SK3707 - 2SK3708 -
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V - 4V, 10V 4V, 10V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Ta) 18A (Ta) 30A (Ta) 45A (Ta)
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 20 V 775 pF @ 20 V 4200 pF @ 20 V 3500 pF @ 20 V

2SK3707 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2SK3707 PDF e la documentazione onsemi per 2SK3707 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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