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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2SJ655
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2SJ655 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
2SJ655
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-2SJ655
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 100V 12A TO220ML
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
2SJ655.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 40875

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SJ655
Specifiche tecniche onsemi - 2SJ655, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - 2SJ655

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id -  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220ML  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 136mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 25W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Bulk  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi 2SJ655

Proprietà del prodotto 2SJ655 2SJ652 2SJ651 2SJ650
Modello di prodotti 2SJ655 2SJ652 2SJ651 2SJ650
fabbricante onsemi Sanyo onsemi onsemi
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2090 pF @ 20 V 4360 pF @ 20 V 2200 pF @ 20 V 1020 pF @ 20 V
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 60 V 60 V 60 V
Vgs (th) (max) a Id - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 136mOhm @ 6A, 10V 38mOhm @ 14A, 10V 60mOhm @ 10A, 10V 135mOhm @ 6A, 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Ta) 28A (Ta) 20A (Ta) 12A (Ta)
Serie - - - -
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 25W (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) 2W (Ta), 25W (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220ML TO-220ML TO-220ML TO-220ML

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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