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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2SD1835T
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2SD1835T - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
2SD1835T
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-2SD1835T
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 50V 2A 3NP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Scheda dati
2SD1835.pdf
In magazzino: 4250

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SD1835T
Specifiche tecniche onsemi - 2SD1835T, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - 2SD1835T

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 400mV @ 50mA, 1A  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore 3-NP  
Serie -  
Potenza - Max 750 mW  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 150MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 2 A  
Numero di prodotto di base 2SD1835  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi 2SD1835T

Proprietà del prodotto 2SD1835T 2SD1834T100 2SD1830 2SD1853
Modello di prodotti 2SD1835T 2SD1834T100 2SD1830 2SD1853
fabbricante onsemi Rohm Semiconductor onsemi onsemi
Frequenza - transizione 150MHz 150MHz - -
Potenza - Max 750 mW 2 W - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 2V 2000 @ 500mA, 3V - -
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V 60 V - -
Numero di prodotto di base 2SD1835 2SD1834 - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 2 A 1 A - -
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) 1µA (ICBO) - -
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-243AA - -
Serie - - * *
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount - -
Tipo transistor NPN NPN - Darlington - -
Contenitore dispositivo fornitore 3-NP MPT3 - -
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 400mV @ 50mA, 1A 1.5V @ 500µA, 500mA - -

2SD1835T Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2SD1835T PDF e la documentazione onsemi per 2SD1835T - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
EOL 18/Oct/2016.pdf
Schede tecniche
2SD1835.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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