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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N6042
2N6042 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N6042 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
2N6042
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-2N6042
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP DARL 100V 8A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
2N6040(42,43,45).pdf
In magazzino: 4680

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N6042
Specifiche tecniche onsemi - 2N6042, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - 2N6042

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 2V @ 12mA, 3A  
Tipo transistor PNP - Darlington  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220  
Serie -  
Potenza - Max 75 W  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 3A, 4V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 20µA  
Corrente - collettore (Ic) (max) 8 A  
Numero di prodotto di base 2N6042  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi 2N6042

Proprietà del prodotto 2N6042 2N6043G 2N6039 2N6039
Modello di prodotti 2N6042 2N6043G 2N6039 2N6039
fabbricante onsemi onsemi onsemi STMicroelectronics
Serie - - - -
Frequenza - transizione - - - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 8 A 8 A 4 A 4 A
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 TO-220 TO-126 SOT-32-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 3A, 4V 1000 @ 4A, 4V 750 @ 2A, 3V 750 @ 2A, 3V
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 100 V 60 V 80 V 80 V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-225AA, TO-126-3 TO-225AA, TO-126-3
Corrente - Cutoff collettore (max) 20µA 20µA 100µA 100µA
Potenza - Max 75 W 75 W 40 W 40 W
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 2V @ 12mA, 3A 2V @ 16mA, 4A 2V @ 8mA, 2A 3V @ 40mA, 4A
Tipo transistor PNP - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington NPN - Darlington
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base 2N6042 2N6043 2N6039 2N60

2N6042 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N6042 PDF e la documentazione onsemi per 2N6042 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 20/Aug/2008.pdf
Schede tecniche
2N6040(42,43,45).pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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