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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N5551RLRMG
2N5551RLRMG Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N5551RLRMG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
2N5551RLRMG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-2N5551RLRMG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Scheda dati
2N5550, 5551.pdf
In magazzino: 4790

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N5551RLRMG
Specifiche tecniche onsemi - 2N5551RLRMG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - 2N5551RLRMG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 160 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226)  
Serie -  
Potenza - Max 625 mW  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Box (TB)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 300MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 50nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 600 mA  
Numero di prodotto di base 2N5551  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi 2N5551RLRMG

Proprietà del prodotto 2N5551RLRMG 2N5551TA 2N5551RLRA 2N5551YTA
Modello di prodotti 2N5551RLRMG 2N5551TA 2N5551RLRA 2N5551YTA
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Numero di prodotto di base 2N5551 2N5551 2N5551 2N5551
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226) TO-92-3 TO-92 (TO-226) TO-92-3
Pacchetto Tape & Box (TB) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)
Corrente - Cutoff collettore (max) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) -
Potenza - Max 625 mW 625 mW 625 mW 625 mW
Frequenza - transizione 300MHz 100MHz 300MHz 100MHz
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 80 @ 10mA, 5V 180 @ 10mA, 5V
Corrente - collettore (Ic) (max) 600 mA 600 mA 600 mA 600 mA
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 160 V 160 V 160 V 160 V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA 200mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor NPN NPN NPN NPN

2N5551RLRMG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N5551RLRMG PDF e la documentazione onsemi per 2N5551RLRMG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
2N5550, 5551.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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