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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N5306
2N5306 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N5306 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
2N5306
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-2N5306
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO92-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Scheda dati
2N5306.pdf
In magazzino: 4680

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N5306
Specifiche tecniche onsemi - 2N5306, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - 2N5306

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 25 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.4V @ 200µA, 200mA  
Tipo transistor NPN - Darlington  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3  
Serie -  
Potenza - Max 625 mW  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 7000 @ 2mA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 1.2 A  
Numero di prodotto di base 2N5306  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi 2N5306

Proprietà del prodotto 2N5306 2N5320 2N5320 2N5320
Modello di prodotti 2N5306 2N5320 2N5320 2N5320
fabbricante onsemi Solid State Inc. Microchip Technology NTE Electronics, Inc
Potenza - Max 625 mW 10 W 10 W 10 W
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 7000 @ 2mA, 5V 30 @ 500mA, 4V 30 @ 500mA, 4V 30 @ 500mA, 4V
Pacchetto Bulk Box Bulk Bag
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -
Serie - - - -
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AA, TO-5-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Frequenza - transizione - - - -
Numero di prodotto di base 2N5306 - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3 TO-39 TO-5AA TO-39
Tipo transistor NPN - Darlington NPN NPN NPN
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) 100µA - -
Corrente - collettore (Ic) (max) 1.2 A 2 A 2 A 2 A
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 25 V 75 V 75 V 75 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1.4V @ 200µA, 200mA 500mV @ 50mA, 500mA - 500mV @ 50mA, 500mA

2N5306 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N5306 PDF e la documentazione onsemi per 2N5306 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
2N5306.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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