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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N5087G
2N5087G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N5087G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
2N5087G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-2N5087G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 50V 0.05A TO92
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Scheda dati
2N5087.pdf
In magazzino: 5360

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N5087G
Specifiche tecniche onsemi - 2N5087G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - 2N5087G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226)  
Serie -  
Potenza - Max 625 mW  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 Long Body  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 40MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 250 @ 100µA, 5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 50nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 50 mA  
Numero di prodotto di base 2N5087  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi 2N5087G

Proprietà del prodotto 2N5087G 2N5087TFR 2N5088 2N5088
Modello di prodotti 2N5087G 2N5087TFR 2N5088 2N5088
fabbricante onsemi onsemi onsemi Fairchild Semiconductor
Tipo transistor PNP PNP NPN NPN
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V 50 V 30 V 30 V
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 250 @ 100µA, 5V 250 @ 100µA, 5V 300 @ 100µA, 5V 350 @ 1mA, 5V
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Numero di prodotto di base 2N5087 2N5087 2N5088 -
Corrente - collettore (Ic) (max) 50 mA 100 mA 50 mA 100 mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA 300mV @ 1mA, 10mA 500mV @ 1mA, 10mA 500mV @ 1mA, 10mA
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 Long Body TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 Long Body TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Potenza - Max 625 mW 625 mW 625 mW 625 mW
Corrente - Cutoff collettore (max) 50nA (ICBO) 50nA 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226) TO-92-3 TO-92 (TO-226) TO-92-3
Frequenza - transizione 40MHz 40MHz 50MHz 50MHz
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Serie - - - -

2N5087G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N5087G PDF e la documentazione onsemi per 2N5087G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 08/Nov/2014.pdf Multiple Devices Revision 26/Nov/2014.pdf
Schede tecniche
2N5087.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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