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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N3416
2N3416 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

2N3416 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
2N3416
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-2N3416
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 50V 0.5A TO92-3
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Scheda dati
2N3416, 2N3417.pdf
La nostra certificazione
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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N3416
Specifiche tecniche onsemi - 2N3416, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - 2N3416

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 3mA, 50mA  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3  
Serie -  
Potenza - Max 625 mW  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione -  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 2mA, 4.5V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA  
Numero di prodotto di base 2N341  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi 2N3416

Proprietà del prodotto 2N3416 2N3439 2N3302 2N3439 PBFREE
Modello di prodotti 2N3416 2N3439 2N3302 2N3439 PBFREE
fabbricante onsemi Solid State Inc. Microchip Technology Central Semiconductor Corp
Numero di prodotto di base 2N341 - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole - Through Hole
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3 TO-39 - TO-39
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50 V 350 V - 350 V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 3mA, 50mA 500mV @ 4mA, 50mA - 500mV @ 4mA, 50mA
Serie - - * -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) - -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo transistor NPN NPN - NPN
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-205AD, TO-39-3 Metal Can - TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Potenza - Max 625 mW 1 W - 1 W
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA 1 A - 1 A
Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO) 20µA - 20µA (ICBO)
Pacchetto Bulk Bulk Bulk Bulk
Frequenza - transizione - 15MHz - 15MHz
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 2mA, 4.5V 40 @ 20mA, 10V - 30 @ 2mA, 10V

2N3416 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N3416 PDF e la documentazione onsemi per 2N3416 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Schede tecniche
2N3416, 2N3417.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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