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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2SK3199
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2SK3199 - Sanken Electric USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
2SK3199
fabbricante
Sanken Electric USA Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-2SK3199
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 500V 5A TO220F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
2SK3199.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 5210

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SK3199
Specifiche tecniche Sanken Electric USA Inc. - 2SK3199, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Sanken Electric USA Inc. - 2SK3199

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Sanken Electric USA Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.5A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 500 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Sanken Electric USA Inc. 2SK3199

Proprietà del prodotto 2SK3199 2SK3177 2SK3178 2SK3163
Modello di prodotti 2SK3199 2SK3177 2SK3178 2SK3163
fabbricante Sanken Electric USA Inc. HITACHI Panasonic Renesas Electronics Corporation
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 10 V - - -
Tipo montaggio Through Hole - - -
Tensione drain-source (Vdss) 500 V - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack - - -
Tipo FET N-Channel - - -
Pacchetto Bulk - - -
Caratteristica FET - - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 1mA - - -
Vgs (Max) ±30V - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5A (Ta) - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.5A, 10V - - -
Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc) - - -
Serie - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -

2SK3199 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2SK3199 PDF e la documentazione Sanken Electric USA Inc. per 2SK3199 - Sanken Electric USA Inc..

Schede tecniche
2SK3199.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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