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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2SK2420
2SK2420 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2SK2420 - Sanken Electric USA Inc.

fabbricante Modello di prodotti
2SK2420
fabbricante
Sanken Electric USA Inc.
Allelco Modello di prodotti
32D-2SK2420
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 30A TO220F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
2SK2420.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 3890

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2SK2420
Specifiche tecniche Sanken Electric USA Inc. - 2SK2420, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Sanken Electric USA Inc. - 2SK2420

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Sanken Electric USA Inc.  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 15A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta)  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Sanken Electric USA Inc. 2SK2420

Proprietà del prodotto 2SK2420 2SK2417(F) 2SK2417 2SK2425
Modello di prodotti 2SK2420 2SK2417(F) 2SK2417 2SK2425
fabbricante Sanken Electric USA Inc. TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora HITACHI
Tipo montaggio Through Hole - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2200 pF @ 25 V - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 28mOhm @ 15A, 10V - - -
Vgs (Max) ±20V - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Pacchetto Bulk - - -
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Ta) - - -
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc) - - -
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack - - -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA - - -
temperatura di esercizio 150°C (TJ) - - -
Tipo FET N-Channel - - -

2SK2420 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2SK2420 PDF e la documentazione Sanken Electric USA Inc. per 2SK2420 - Sanken Electric USA Inc..

Schede tecniche
2SK2420.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-2SK2420

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