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Tutto ciò che devi sapere sull'AO4407A MOSFET

Il MOSFET AO4407A è un dispositivo a canale P 30V affidabile ed efficiente, progettato per applicazioni che richiedono commutazione e controllo stabili.Questo articolo copre le sue caratteristiche, le specifiche, gli usi comuni e le intuizioni sul suo produttore, rendendo facile comprendere il suo ruolo in vari sistemi elettronici.

Catalogare

Introduzione ad AO4407A

IL AO4407A è un MOSFET a canale P da 30 V, costruito per applicazioni che richiedono efficienza e affidabilità.Confezionato in un formato SOIC-8 standard, utilizza una tecnologia di trincea avanzata, consentendole di ottenere una minore resistenza allo stato (RDS ON) e una carica di gate ridotta.Questo design aiuta a garantire un funzionamento più fluido con una perdita di potenza minima, rendendolo una scelta ideale per le applicazioni di modulazione di commutazione e di larghezza di impulsi (PWM).La valutazione del gate da 25 V migliora ulteriormente la sua versatilità, consentendole di gestire vari carichi mantenendo prestazioni coerenti.Con il suo layout efficiente e la costruzione robusta, l'AO4407A si adatta bene alle esigenze dei moderni sistemi elettronici, supportando un funzionamento efficiente a bassa energia in una serie di configurazioni.

Configurazione del pin AO4407A

Modello CAD AO4407A

Simbolo AO4407A

Impronta AO4407A

Modello 3D AO4407A

Specifiche AO4407A

Specifiche tecniche, caratteristiche, caratteristiche e componenti con specifiche comparabili di Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4407A.

Tipo	Parametro
Montare	Monte della superficie
Tipo di montaggio	Monte della superficie
Pacchetto / caso	8-Soic (0,154, 3,90 mm di larghezza)
Numero di spille	8
Materiale dell'elemento transistor	Silicio
Corrente - drenaggio continuo (id) @ 25 ℃	12A TA
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)	6v 20v
Numero di elementi	1
Dissipazione di potenza (max)	3,1 W TA
Temperatura operativa	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Confezione	Nastro e bobina (TR)
Pubblicato	2013
Stato parte	Non per nuovi design
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	1 (illimitato)
Numero di terminazioni	8
Codice ECCN	Ear99
Posizione terminale	Dual
Forma terminale	Ala del gabbiano
Conteggio dei perni	8
Configurazione	Singolo con diodo incorporato
Modalità operativa	Modalità di miglioramento
Dissipazione del potere	3.1 W.
Tipo FET	P-channel
Applicazione transistor	Commutazione
RDS su (max) @ id, vgs	11MΩ @ 12A, 20V
Vgs (th) (max) @ id	3V @ 250μA
Capacità di input (CISS) (max) @ VDS	2600pf @ 15V
Gate Charge (QG) (Max) @ VGS	39nc @ 10v
Drana su Tensione di origine (VDSS)	30V
VGS (max)	± 25 V.
Corrente di scarico continuo (ID)	12a
Tensione del gate alla sorgente (VGS)	25v
DS Breakdown Tensione-min	30V
Indurimento da radiazioni	NO
Stato ROHS	ROHS3 conforme
Senza piombo	Senza piombo

Caratteristiche chiave AO4407A

Tipo di transistor: MOSFET

L'AO4407A è un MOSFET a canale P, un tipo di transistor progettato per controllare la corrente agendo come interruttore.La sua struttura consente un controllo efficiente sul flusso elettrico, rendendolo molto adatto per la regolazione dell'alimentazione in varie applicazioni.

Canale di controllo: canale p

Con la sua configurazione del canale p, AO4407A opera consentendo alla corrente di fluire quando viene applicata una tensione negativa al gate.Questa funzione è utile per la commutazione delle applicazioni, in particolare nei sistemi che beneficiano di circuiti semplificati.

Dissipazione della potenza massima

L'AO4407A può gestire fino a 3,1 watt di dissipazione di potenza.Questa valutazione significa che può funzionare in modo sicuro in ambienti in cui i livelli di potenza fluttuano, mantenendo le prestazioni senza surriscaldamento o spreco di energia.

Tensione massima di drenaggio

In grado di resistere fino a 30 volt tra i terminali di drenaggio e sorgente, questo MOSFET è adatto per applicazioni che richiedono tolleranze di tensione più elevate, fornendo flessibilità in diversi progetti di circuiti.

Tensione massima della fonte di gate

L'AO4407A può gestire una tensione massima di fonte di gate di 25 volt.Questo attributo offre affidabilità quando si lavora in circuiti in cui le tensioni di gate variano, consentendo un funzionamento stabile senza compromettere l'efficienza.

Tensione di soglia di gate

Con una tensione massima di soglia di gate di 3 volt, l'AO4407A inizia a condurre solo quando viene raggiunta questa soglia.Questa caratteristica garantisce che si attivi solo nelle condizioni appropriate, prevenendo la commutazione accidentale.

Corrente di scarico massima

L'AO4407A può gestire una corrente di scarico massima di 12 ampere.Questa capacità lo rende adatto per applicazioni che richiedono una corrente da moderata a alta, garantendo prestazioni stabili e affidabili sotto carico.

Temperatura di giunzione massima

Progettato per funzionare all'interno di un ampio intervallo di temperatura, l'AO4407A può resistere alle temperature di giunzione fino a 150 ° C.Questa resilienza gli consente di funzionare efficacemente in varie condizioni ambientali senza degradare le sue prestazioni.

Sorgi il tempo

L'AO4407A ha un tempo di aumento di 9,4 nanosecondi, che si riferisce alla rapidità con cui accende.Questo tempo di risposta rapido lo rende una scelta ideale per le applicazioni in cui i tempi e l'efficienza sono prioritari, come nei circuiti PWM.

Capacità della fonte di scarico

Con una capacità di drenaggio di 370 Picofarad, questo MOSFET gestisce in modo efficiente l'accumulo di energia tra questi due terminali.Questa funzione è utile per mantenere il flusso di corrente liscio e ridurre il rumore nei circuiti sensibili.

Resistenza allo stato

L'AO4407A ha una resistenza allo stato di 0,013 ohm, che aiuta a ridurre al minimo la perdita di potenza durante il funzionamento.Questa bassa resistenza migliora l'efficienza, rendendolo adatto per applicazioni attenti all'energia in cui la riduzione della perdita di potenza è una priorità.

Pacchetto

Confezionato in un formato SO-8, l'AO4407A è compatto e facile da integrare in vari circuiti.Il suo design consente un uso efficiente dello spazio, fornendo flessibilità per applicazioni compatte o restritte allo spazio.

Equivalenti di AO4407A

• AO4314

• AO4354

• AO4402

• AO4403

• AO4404B

• AO4405

• AO4406A

• AO4407

• IRF530

• AO4409

• AO4410

• AO4411

• AO4413

• AO4415

• AO4419

• AO4420

• AO4421

Applicazioni e utilizzo di AO4407A

L'AO4407A è adatto per l'uso come interruttore di carico o nelle applicazioni PWM (PWIDTH (PWM).Di seguito sono riportati alcuni dettagli chiave del MOSFET AO4407A P-CANNEL:

• VDS valutazione di -30v

• ID di -12a (con VGS a -20V)

• RDS (ON) inferiore a 11MΩ (con VGS a -20V)

• RDS (ON) inferiore a 13MΩ (con VGS a -10V)

• RDS (ON) inferiore a 17MΩ (con VGS a -6V)

• Completamente testato per la commutazione induttiva non contenuta (UI)

• Completamente testato per la resistenza al gate (RG)

Parti con specifiche simili ad AO4407A

Le parti a destra hanno specifiche simili a Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4407A.

Parametro	AO4407A	FDS6670A	Si4425ddy-t1-GE3	FDS6679AZ	IRF7821TRPBF
Produttore	Semiconduttore Alpha & Omega	Su semiconduttore	Vishay Siliconix	Su semiconduttore	Tecnologie Infineon
Montare	Monte della superficie	Monte della superficie	Monte della superficie	Monte della superficie	Monte della superficie
Pacchetto / caso	8-Soic (0,154, 3,90 mm di larghezza)	8-Soic (0,154, 3,90 mm di larghezza)	8-Soic (0,154, 3,90 mm di larghezza)	8-Soic (0,154, 3,90 mm di larghezza)	8-Soic (0,154, 3,90 mm di larghezza)
Drana su Tensione di origine (VDSS)	30V	30V	30V	-	-
Corrente di scarico continuo (ID)	12a	-13a	-13a	13.6A	13A
Corrente - drenaggio continuo (ID) @ 25 ° C	12A (TA)	19.7a (TC)	13A (TA)	13.6a (TA)	13A (TA)
Tensione del gate alla sorgente (VGS)	25v	20V	25v	20V	-
Dissipazione del potere	3.1 W.	5.7 W.	2.5 W.	2.5 W.	2.5 W.
Dissipazione della potenza - Max	3.1W (TA)	2,5 W (TA), 5,7 W (TC)	2,5 W (TA), 5,7 W (TC)	2.5W (TA)	2.5W (TA)

AO4407A Dimensioni fisiche

Informazioni sul produttore: Alpha e Omega Semiconductor, Inc.

Alpha e Omega Semiconductor, Inc. (AOS) è uno sviluppatore globale e fornitore di semiconduttori di potenza, noto per combinare la progettazione innovativa dei dispositivi, la tecnologia di processo e le competenze di imballaggio.AOS offre una vasta gamma di MOSFET di potenza e ICS realizzati per soddisfare la crescente necessità di efficienza energetica in applicazioni ad alta richiesta.I loro prodotti sono ampiamente utilizzati in elettronica portatile, display a pannello piatto, pacchetti di batterie, dispositivi multimediali e alimentatori.Con un focus sull'ottimizzazione delle prestazioni e sull'efficienza dei costi, AOS continua a supportare i requisiti in evoluzione dei mercati ad alto volume, fornendo componenti che migliorano l'efficienza energetica e l'affidabilità su vari dispositivi e tecnologie.

PDF da foglio dati

Foglio dati AO4407A:

AO4407A.pdf

Foglio dati FDS6670A:

Fds6670a.pdf

Scheda fissale SI4425ddy-T1-GE3:

Si4425ddy-t1-ge3.pdf

Festa dati FDS6679AZ:

Fds6679az.pdf