su 16/10/2024 277

Il MOSFET N-Canale N BS170: pinout ed equivalenti

Il MOSFET BS170 N-channel è una testimonianza dei moderni progressi dei semiconduttori, principalmente noti per la sua efficienza, versatilità e affidabilità.Confezionato in una forma compatta TO-92, questo MOSFET offre notevoli velocità di commutazione e gestisce correnti fino a 500 mA, rendendolo ideale per varie applicazioni come commutazione ad alta velocità, amplificazione e operazioni a bassa tensione.Che si tratti di alimentare dispositivi a batteria o alla guida di piccoli motori, il BS170 svolge un ruolo importante nel migliorare le prestazioni e l'efficienza dei sistemi elettronici.In questo articolo, esploreremo le sue applicazioni chiave, gli attributi tecnici e il modo in cui si integra perfettamente in diversi progetti.

Catalogare

Panoramica BS170

IL BS170, un MOSFET N-Canale che vanta un pacchetto TO-92, esemplifica l'apice della moderna innovazione a semiconduttore.Utilizzando il processo DMOS ad alta densità di Fairchild Semiconductor, manifesta una resistenza incredibilmente bassa e capacità di commutazione rapide e affidabili.Queste caratteristiche lo affidano a una moltitudine di applicazioni.Ad esempio, gestisce abile correnti fino a 500 mA e esegue operazioni ad alta velocità all'interno di un notevole 7 nanosecondi.Pertanto, diventa una scelta ideale per dispositivi portatili e attrezzature alimentate a batteria, dimostrando che la tecnologia avanzata può arricchire significativamente la nostra vita quotidiana.

Nel mondo delle applicazioni di commutazione, il BS170 si distingue a causa della sua competenza nella gestione delle correnti elevate con una perdita di potenza minima.Il suo tempo di risposta di allerta promuove un'efficienza eccezionale, un tratto attivo per i dispositivi richiesti di eseguire cicli di on-off rapidi.Sfruttare questo MOSFET in tali scenari eleva l'efficienza operativa in modo simile a come i sistemi di controllo industriale precisi amplificano la produttività. L'eccezionale velocità di commutazione di BS170, raggiungendo il picco a 7 nanosecondi, solidifica il suo ruolo nelle applicazioni ad alta velocità.Ad esempio, nei sistemi di comunicazione in cui il trasferimento di dati rapidi è necessario, l'abilità di commutazione rapida del MOSFET garantisce una ridotta latenza e aumenta l'affidabilità delle prestazioni.Questa capacità rispecchia l'ottimizzazione dei processi del flusso di lavoro richiesti nei paesaggi aziendali competitivi.

Servendo come amplificatore, il BS170 soddisfa le esigenze di amplificazione audio, fornendo una qualità del suono chiara e precisa.Inoltre, eccelle nell'amplificazione generale del segnale, sostenendo segnali deboli senza rumore o distorsione sostanziale.Questa funzione ricorda il miglioramento della chiarezza nelle comunicazioni di squadra, garantendo che le istruzioni siano comprensibili e che le attività vengano eseguite con precisione.Il BS170 si rivela notevolmente efficace nelle applicazioni a bassa tensione e di corrente, come il controllo del motore di piccolo servo e la guida al MOSFET di potenza.La sua affidabilità in questi ruoli può essere paragonata a strumenti finemente calibrati in esperimenti scientifici che richiedono precisione e margini di errore minimi, garantendo che i compiti siano meticolosamente compiuti senza spazio per errori.

Diagramma di pinout BS170

Rappresentazione CAD BS170

Simbolo schematico

Impronta PCB

Visualizzazione 3D

Attributi BS170

Caratteristica	Descrizione
Pacchetto	A-92
Transistor Tipo	N-channel
Drenare Per la tensione di origine (VDS)	60V (Massimo)
Cancello Per la tensione di origine (VGS)	± 20 V. (Massimo)
Continuo DRINA CORRENTE (ID)	500 mA (Massimo)
Pulsato DRINA CORRENTE (ID)	500 mA (Massimo)
Energia Dissipazione (PD)	830MW (Massimo)
Cancello Tensione di soglia (VGS (TH))	0.8 V. (Minimo)
Magazzinaggio E temperatura operativa	-55 ° C. a +150 ° C.
Senza PB	SÌ
Basso Tensione di offset ed errore	SÌ
Facilmente Guidato senza tampone	SÌ
Alta densità Design cellulare	Minimizzati Resistenza allo stato (RDS (ON))
Voltaggio Interruttore di segnale piccolo controllato	SÌ
Alto Capacità di corrente di saturazione	SÌ
Robusto e affidabile	SÌ
Veloce Tempo di commutazione (ton)	4ns

Dettagli tecnici

Tipo	Valore
Fabbrica Tempi di consegna	11 Settimane
Contatto Placcatura	Rame, Argento, stagno
Montare	Attraverso Buco
Montaggio Tipo	Attraverso Buco
Pacchetto / Caso	To-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numero di spille	3
Fornitore Pacchetto dispositivo	A-92-3
Peso	4.535924G
Attuale - Dranaggio continuo (ID) @ 25 ℃	500 mA Ta
Guidare Tensione (max rds on, min rds on)	10v
Numero di elementi	1
Energia Dissipazione (max)	830MW Ta
Operativo Temperatura	-55 ° C ~ 150 ° C. TJ
Confezione	Massa
Pubblicato	2005
Parte Stato	Attivo
Umidità Livello di sensibilità (MSL)	1 (Illimitato)
Resistenza	5ohm
Max Temperatura operativa	150 ° C.
Min Temperatura operativa	-55 ° C.
Voltaggio - DC nominale	60V
Attuale Valutazione	500 mA
Base Numero parte	BS170
Voltaggio	60V
Elemento Configurazione	Separare
Attuale	5a
Energia Dissipazione	830MW
FET Tipo	N-channel
RDS Su (max) @ id, vgs	5ohm @ 200ma, 10v
VGS (Th) (Max) @ id	3v @ 1Ma
Ingresso Capacità (CISS) (max) @ VDS	40pf @ 10V
Drenare Per la tensione di origine (VDSS)	60V
VGS (Max)	± 20 V.
Continuo DRINA CORRENTE (ID)	500 mA
Soglia Voltaggio	2.1v
Cancello Per la tensione di origine (VGS)	20V
Drenare Per fonte di tensione di rottura	60V
Ingresso Capacità	24pf
Drenare per fonte di resistenza	5ohm
RDS Su Max	5Ω
Nominale VGS	2.1v
Altezza	5,33 mm
Lunghezza	5,2 mm
Larghezza	4,19 mm
PORTATA Svhc	NO Svhc
Radiazione Indurimento	NO
Rohs Stato	Rohs3 Compiacente
Guida Gratuito	Guida Gratuito

Sostituti BS170

Numero parte	Descrizione	Produttore
ND2406L-TR1TRANSISTORS	Piccolo Transistor a effetto campo di campo del segnale, 0,23a I (d), 240 V, 1-elemento, canno N, SILICO, FET a semiconduttore di ossido di metallo, TO-226AA, TO-92, 3 pin	Vishay Siliconix
BSN20BK-Transistor	Piccolo Transistor a effetto campo di campo di segnale, 0,265a I (d), 60V, 1-elemento, canno N, Silicio, semiconduttore di ossido di metallo FET, TO-236AB	Nexperia
VN1310N3P015TRANSISTORS	Piccolo Transistor dell'effetto campo di segnali, 0,25a I (d), 100 V, 1-elemento, canno N, Silicio, semiconduttore di ossido metallico FET, TO-92	Supertex INC
VN1710LP018Transistor	Piccolo Transistor a effetto campo di campo di segnale, 0,22a I (d), 170 V, 1-elemento, n-channel, Silicio, semiconduttore di ossido metallico FET, TO-92	Supertex INC
MPF6659TRANSISTORS	2000Ma, 35V, n-channel, Si, piccolo segnale, MOSFET, TO-92	Motorola Mobility LLC
SST4118T1TRANSISTORS	Piccolo Transistor ad effetto campo di campo di segnale, 1-elemento, n-channel, silicio, giunzione FET, Pacchetto di plastica-3	Calogico INC
BS208-Ammotransistor	TRANSISTOR 200 Ma, 200 V, P-channel, Si, Small Signal, Mosfet, TO-92, FET General Scopo Piccolo segnale	Nxp Semiconduttori
SD1106DDTRANSISTORS	Energia Transistor a effetto campo, N-canale, FET a semiconduttore di ossido di metallo	Topazio Semiconduttore
BSS7728E6327TRANSISTORS	Piccolo Transistor a effetto campo di campo di segnale, 0,15a I (d), 60V, 1-elemento, canno N, Silicio, semiconduttore di ossido di metallo FET, SOT-23, 3 perno	Infine Tecnologie AG
2SK1585-T2Transistor	Piccolo Transistor a effetto campo di campo di segnale, 1a I (d), 16V, 1-elemento, canno N, silicio, FET a semiconduttore di ossido di metallo, potenza, mini stampo, SC-62, 3 perno	Nec Gruppo elettronico

Equivalenti BS170

2n7000

2n7002

VQ1000J

VQ1000P

IRLML2502

Esplorare le applicazioni di BS170

Il MOSFET BS170 dimostra una notevole utilità sia nelle funzioni di commutazione che di amplificazione, rendendolo un componente di base in diversi progetti elettronici.

Sfruttamento delle applicazioni

La gestione di carichi fino a 500 mA, il BS170 è adatto per dispositivi di guida come relè, LED e piccoli motori.Questa capacità di gestione del carico è per lo più vantaggiosa nei progetti basati su microcontrollori, in particolare quelli che utilizzano piattaforme come Arduino e Raspberry Pi.La semplicità del controllo del BS170 con segnali a bassa tensione è in armonia con le caratteristiche di uscita di questi microcontrollori.Questa congruenza consente una fluida integrazione senza richiedere circuiti di amplificazione extra.In applicazioni pratiche, è spesso possibile passare a BS170 per l'interfaccia con i relè, ideando metodi per cambiare carichi di corrente più elevati con una deformazione minima sul microcontrollore.Allo stesso modo, nella gestione degli array a LED, il BS170 eccelle nella distribuzione dell'energia, garantendo prestazioni coerenti e costanti.

Applicazioni di amplificazione

Il BS170 è anche prezioso negli scenari di amplificazione, compresi i circuiti audio e l'amplificazione del segnale di basso livello.Il suo funzionamento con tensione di gate minima migliora l'efficienza, attivo per il controllo preciso sui segnali di uscita.Questa efficienza è per lo più apprezzata nei dispositivi audio in cui la chiarezza e la fedeltà non possono essere compromesse.Inoltre, la capacità del BS170 di amplificare i segnali di basso livello trova un'applicazione notevole in attività di sensore sensibili.Ad esempio, nei sistemi di monitoraggio ambientale, la necessità di amplificare segnali deboli dai sensori di temperatura o umidità senza un notevole rumore è rischiosa.Questa amplificazione garantisce una rappresentazione precisa dei dati, aiutando il processo decisionale più informato.

Analisi comparativa con transistor di giunzione bipolare (BJTS)

Sia MOSFET che BJTS controllano il flusso di corrente nei circuiti, ma BS170 sottolinea differenze distinte nei meccanismi di controllo.A differenza di BJTS, che richiedono una corrente continua alla base per modulare la corrente emetter-collettore, il BS170 necessita solo di una piccola tensione di gate.Questo attributo diminuisce il consumo di energia e semplifica i circuiti logici di controllo.

Output di microcontroller

I microcontrollori richiedono spesso un intermediario per guidare vari carichi, dati le uscite a livello logico limitate.BS170 affronta questa necessità accettando ingressi a bassa tensione e fornendo uscite di corrente più elevate.Questa estensione della capacità è in qualche modo come utilizzare un adattatore per collegare dispositivi incompatibili, ampliando così l'ambito operativo dei microcontrollori.

Output IC

Quando si interfacciano i circuiti integrati con periferiche, il BS170 funge da buffer per ridurre al minimo il carico su uscite IC sensibili.Questa pratica è comunemente osservata in elettronica per favorire l'affidabilità dei sistemi basati su IC, garantendo che funzionino senza intoppi senza un indebito stress ai componenti.

Rafforzamento del segnale

La versatilità del BS170 brilla in numerose applicazioni di amplificazione del segnale a bassa potenza.Si rivela utile in telemetria, piccoli circuiti di trasmettitore e ingrandimento del segnale analogico.Pensa a un miglioramento di un debole segnale Wi-Fi, in cui ogni spinta conta per una migliore connettività.

Automazione industriale (ad es. Controlli a macchina, barriere luminose)

Nell'automazione industriale, la robustezza della BS170 è ideale per i sistemi di controllo delle macchine e le barriere della luce.Cambia in modo efficiente carichi elevati, garantendo un funzionamento regolare attivo nel ridurre i tempi di inattività e aumentare la produttività.Puoi fare affidamento su tali componenti per mantenere i sistemi in esecuzione in modo ottimale.

Dispositivi alimentati a batteria

Per i dispositivi a batteria, sono necessari il basso consumo di energia di BS170 e l'elevata efficienza.Estende la durata della batteria minimizzando gli sprechi energetici.

Relè a stato solido

Incorporato in molti relè a stato solido, il BS170 gestisce carichi sostanziali con usura meccanica minima, offrendo un funzionamento silenzioso e una maggiore affidabilità.Questa funzione silenziosa e affidabile è una risorsa notevole in ambienti come i dispositivi medici, in cui il rumore di commutazione meccanica è indesiderabile.

Driver del dispositivo (ad es. Relays, solenoidi, lampade)

Il BS170 è fondamentale per i driver di dispositivo per relè, solenoidi e lampade.Le sue capacità di commutazione affidabili sono utili per mantenere l'integrità operativa, principalmente nelle applicazioni automobilistiche in cui la robustezza e la durata sono molto apprezzate.

Interfacce a livello logico (TTL/CMOS)

Facilitando l'interazione tra le famiglie logiche TTL e CMOS, il BS170 garantisce una comunicazione senza soluzione di continuità attraverso diversi circuiti logici.Questa integrazione è attiva nei progetti di tecnologia mista, in cui la compatibilità dei componenti diversi e le prestazioni del sistema sono dominanti.

Utilizzo del BS170 per il controllo a LED

BS170 MOSFET è la chiave per cambiare un LED in questa configurazione finale.Per stabilire questa configurazione, collegare i terminali di gate e di scarico a una sorgente di alimentazione da 5 V CC e collegare il LED al terminale di origine.Quando viene applicato un impulso di tensione sul gate, il MOSFET viene attivato, consentendo alla corrente di fluire dallo scarico alla sorgente, accendendo il LED.La rimozione dell'impulso cessa il flusso di corrente, estinguendo il LED.

Il BS170, un MOSFET a canale N, opera in base al differenziale di tensione tra il suo gate e i terminali di origine.I fatti operativi chiave includono che quando la tensione gate-to-source (V_GS) supera circa 2 V, il MOSFET entra nel suo stato conduttivo.Questa proprietà garantisce una commutazione efficiente con una perdita di potenza minima.A causa di questa efficienza, si adatta a applicazioni a bassa tensione come attivare un LED.

Questo circuito finale può evolversi in varie applicazioni pratiche.Ad esempio, integrare un microcontrollore per regolare l'impulso di gate.Ciò consente al LED di lampeggiare a frequenze specifiche o di visualizzare modelli complessi.Tali integrazioni sono universali nei progetti elettronici, dagli indicatori di base ai sofisticati sistemi di segnalazione.La progettazione di circuiti con MOSFET come il BS170 richiede spesso test iterativi per perfezionare la tensione del gate per prestazioni affidabili.Garantire connessioni sicure e un'alimentazione stabile aumenta significativamente l'affidabilità del circuito.

Packaging per BS170

Informazioni sul produttore

Su semiconduttore si pone come un'entità influente a livello globale nei diversi domini di potenza, gestione del segnale, logica e dispositivi personalizzati.Si rivolgono a settori che abbracciano automobilistiche, elettronica di consumo e assistenza sanitaria.Con una presenza strategica che include strutture e uffici in Nord America, Europa e Asia e sede situati a Phoenix, in Arizona, su semiconduttore è pronto a soddisfare le esigenze in evoluzione del settore.

Sull'impegno di Semiconductor per i progressi tecnologici è evidente nel suo ampio portafoglio.I loro prodotti formano la spina dorsale di progetti automobilistici contemporanei, miglioramento della sicurezza dei veicoli, connettività ed efficienza energetica.Ciò si traduce in benefici tangibili come un minor numero di incidenti e un'esperienza di guida più fluida.

Le loro soluzioni di gestione del segnale svolgono un ruolo principale nel migliorare l'elettronica di consumo, garantendo esperienze più affidabili e avanzate.Immagina l'operazione senza soluzione di continuità dei tuoi dispositivi domestici intelligenti, tutto grazie a queste innovazioni.Nel settore medico, sui dispositivi personalizzati di Semiconductor facilitano le tecnologie sanitarie avanzate, contribuendo a migliorare i risultati dei pazienti e alle operazioni mediche semplificate, il rendimento dei trattamenti più efficaci e meno invasivi.

Componenti comparabili

Numero parte

Produttore

Montare

Pacchetto / caso

Drana su Tensione di origine (VDSS)

Corrente di scarico continuo (ID)

Corrente - drenaggio continuo (ID) @ 25 ° C

Tensione di soglia

RDS su Max

Tensione del gate alla sorgente (VGS)

Dissipazione del potere

Dissipazione di potenza-Max

Visualizza confronta

BS170

SU Semiconduttore

Attraverso Buco

To-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

60V

500 Ma

500 mA (TA)

2.1 V

5 Ω

20 v

830 MW

830MW (TA)

BS170

BS270

SU Semiconduttore

Attraverso Buco

To-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

-

400 Ma

400 mA (TA)

2.1 V

-

20 v

630 MW

625MW (TA)

BS170 VS BS270

2n7000

SU Semiconduttore

Attraverso Buco

To-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

60V

200 Ma

200 mA (TA)

2.1 V

5 Ω

20 v

400 MW

400MW (TA)

BS170 Vs 2n7000