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CasablogSTP55NF06 Guida al MOSFET di potenza: pinout, specifiche e alternative
su 30/10/2024 143

STP55NF06 Guida al MOSFET di potenza: pinout, specifiche e alternative

In questo articolo, ci immergiamo nelle capacità e nelle applicazioni del MOSFET STP55NF06, un robusto MOSFET di potenza a canale N per la sua efficienza e adattabilità in circuiti ad alta richiesta.Conosciuto per la sua bassa resistenza e la velocità di commutazione rapida, questo MOSFET è un bene in sistemi sensibili alla potenza come controller motori e alimentatori.Con la possibilità di gestire una tensione di drenaggio di 60 V e correnti continue fino a 55A, STP55NF06 è ideale per applicazioni ad alta intensità di potenza, offrendo una gestione termica e affidabilità efficienti in varie condizioni operative.Dai sistemi automobilistici alle applicazioni energetiche rinnovabili, il design versatile MOSFET di STP55NF06 consente di migliorare le prestazioni, l'efficienza energetica e la longevità del sistema migliorato.

Catalogare

1. Comprensione di STP55NF06
2. Configurazione del pin
3. Modello CAD
4. Caratteristiche
5. Applicazioni
6. Circuito di prova
7. Sfruttazione di MOSFET STP55NF06
8. Specifiche tecniche
9. Componenti comparabili
10. pacchetto
11. produttore
STP55NF06 Power MOSFET Guide: Pinout, Specifications, and Alternatives

Comprensione di STP55NF06

IL STP55NF06 è un MOSFET a canale N altamente capace, notevole per la gestione di considerevoli flussi di corrente e per consentire azioni di commutazione rapida.Dimostra un'impressionante efficienza a causa della sua bassa resistenza.Il dispositivo inizia la conduzione con una tensione di gate di 10 V e raggiunge la massima efficienza a 20 V, posizionandolo come candidato forte per il funzionamento di carichi ad alta potenza.La sua soglia di gate di 4 V assicura che funzioni bene con i microcontrollori, ma raggiunge il meglio a 10 V, supportando la corrente continua fino a 27A.Per integrarsi senza intoppi con i microcontrollori, è consigliabile il coinvolgimento di un circuito del driver o un MOSFET a livello logico, come il 2N7002.La risposta in frequenza lodevole del dispositivo lo rende adatto ai convertitori DC-DC.

Nelle applicazioni che coinvolgono MOSFET come STP55NF06, è necessaria correttamente la base del cancello per evitare innesco non intenzionali.Poiché i MOSFET si attivano e disattivano in base alla tensione, la gestione della tensione di padronanza diventa insistente.Spesso è possibile incorporare ulteriori misure protettive come i diodi Zener per stabilizzare la tensione di gate e proteggerlo rispetto alle aspre di tensione.

L'integrazione con successo con i microcontroller richiede la distribuzione strategica dei circuiti del driver.Questi circuiti affrontano le differenze tra la tensione di uscita del microcontrollore e le richieste di gate MOSFET.Un approccio comune impiega un driver che sposta il livello per colmare questo divario, garantendo l'interazione senza soluzione di continuità tra i componenti.

Configurazione del pin

STP55NF06 Pinout

Modello CAD

Simbolo

STP55NF06 Symbol

Orma

STP55NF06 Footprint

Modello 3D

STP55NF06 3D Model

Caratteristiche

Caratteristica
Specifiche
Tipo di MOSFET
N-channel
Corrente di scarico continuo (ID)
35a
Corrente di scarico pulsato (becco ID)
50a
Tensione di rottura della sorgente (VDS)
60V
Resistenza alla sorgente di scarico (RDS)
0,018 Ω
Tensione di soglia del gate (VGS-Th)
20V (max)
Sorgi il tempo
50 ns
Tempo di caduta
15 ns
Capacità di input (CISS)
1300 pf
Capacità di uscita (COSS)
300 pf
Tipo di pacchetto
To-220

Applicazioni

Servosterzo elettrico (EPS)

I sistemi di servosterzo elettrico nei veicoli moderni migliorano sia la precisione che il comfort nella guida.MOSFET STP55NF06 svolge un ruolo notevole nell'ottimizzazione dell'utilizzo del potere e dei tempi di risposta, contribuendo così a questi miglioramenti.I conducenti spesso riportano una riduzione tangibile del consumo di carburante, poiché i sistemi EPS attirano la potenza in modo selettivo, influenzando significativamente l'efficienza del veicolo.

Sistema di frenatura antibloccaggio (ABS)

All'interno dell'ABS, STP55NF06 fornisce una commutazione rapida ed efficiente, utilizzata per un controllo ottimale della frenata.La sua resilienza ad alta temperatura e le capacità di commutazione rapida sono particolarmente utili nelle emergenze.I test dimostrano costantemente una migliore sicurezza prevenendo il blocco delle ruote, confermandone l'efficacia.

Sistemi di controllo del tergicristallo

Nei sistemi di controllo del tergicristallo, STP55NF06 è fondamentale per operazioni precise e affidabili in varie condizioni meteorologiche.La sua capacità di gestire carichi variabili con una perdita di potenza minima garantisce una compensazione efficiente del parabrezza.Interrogati test in diversi climi dimostrano la sua efficacia nel migliorare la visibilità e la sicurezza del conducente.

Sistemi di controllo climatico

STP55NF06 guida motori e compressori nei sistemi di controllo climatico con eccezionale efficienza, consentendo una gestione precisa della temperatura all'interno dei veicoli.Le capacità di risparmio energetico di questo MOSFET riducono il consumo complessivo di energia del veicolo.Le applicazioni pratiche mostrano il suo ruolo nel mantenimento del comfort mentre prolungano la durata della batteria.

Meccanismi delle porte di potenza

I sistemi di porta di potenza sfruttano le prestazioni coerenti di STP55NF06 per operazioni fluide e affidabili.La durata del MOSFET attraverso cicli ripetuti garantisce la longevità e riduce al minimo la manutenzione.Il feedback sul campo evidenzia un minor numero di errori, portando a una maggiore soddisfazione e fiducia dei consumatori nelle porte automatizzate.

Circuito di prova

STP55NF06 - Esame dei tempi di commutazione con carico resistivo

STP55NF06-Switching times test circuit for resistive load

STP55NF06 - Investigation Gate Charge Dynamics

STP55NF06-Gate charge test circuit

Sfruttare MOSFET STP55NF06

Il MOSFET STP55NF06 funziona in modo efficiente con le modeste richieste di tensione, iniziando il funzionamento intorno a 4 V.Questa funzionalità si allinea bene con le applicazioni che richiedono tensioni più basse.Se collegato a VCC, il gate richiede la conduzione;Grounding sta fermando la corrente.Se la tensione di gate scende al di sotto di 4V, la conduzione si ferma.Una resistenza a discesa, in genere vicino a 10k, garantisce che il cancello rimane messo a terra quando inattivo, sostenendo l'affidabilità.

In applicazioni pratiche, la gestione della tensione di gate stabile emerge come influente per le prestazioni.In scenari che richiedono precisione, l'integrazione di meccanismi di feedback può perfezionare le operazioni, consentendo ai sistemi di sostenere la funzionalità desiderata tra le condizioni fluttuanti.

Implementazione del circuito

STP55NF06 Circuit

Per mantenere il MOSFET coinvolto, il cancello si collega alla tensione di alimentazione.Se la tensione scivola sotto 4V, il dispositivo entra nella regione ohmica, fermando la conduzione.Una resistenza a discesa, come un resistore da 10k, stabilizza il circuito mantenendo il cancello a terra quando non attivo, riducendo i rischi di attivazione non intenzionale da cambiamenti di tensione improvvisi.

Specifiche tecniche

Tipo
Parametro
Stato del ciclo di vita
Attivo (ultimo aggiornamento: 8 mesi fa)
Tempo di consegna della fabbrica
12 settimane
Montare
Attraverso il buco
Tipo di montaggio
Attraverso il buco
Pacchetto / caso
To-220-3
Numero di spille
3
Peso
4.535924G
Materiale dell'elemento transistor
SILICIO
Corrente - drenaggio continuo (id) @ 25 ℃
50a tc
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10v
Numero di elementi
1
Dissipazione di potenza (max)
110W TC
Disattivare il tempo di ritardo
36 ns
Temperatura operativa
-55 ° C ~ 175 ° C TJ
Confezione
Tubo
Serie
Stripfet ™ II
Codice JESD-609
E3
Stato parte
Attivo
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Numero di terminazioni
3
Codice ECCN
Ear99
Resistenza
18mohm
Finitura terminale
Stagno opaco (SN)
Tensione - DC nominale
60V
Valutazione attuale
50a
Numero parte base
STP55N
Conteggio dei perni
3
Configurazione dell'elemento
Separare
Modalità operativa
Modalità di miglioramento
Dissipazione del potere
30W
Accendi il tempo di ritardo
20 ns
Tipo FET
N-channel
Applicazione transistor
Commutazione
RDS su (max) @ id, vgs
18 m ω @ 27.5a, 10V
Vgs (th) (max) @ id
4V @ 250μA
Capacità di input (CISS) (max) @ VDS
1300pf @ 25V
Gate Charge (QG) (Max) @ VGS
60nc @ 10v
Sorgi il tempo
50ns
VGS (max)
± 20 V.
Tempo di caduta (tipo)
15 ns
Corrente di scarico continuo (ID)
50a
Tensione di soglia
3v
Codice JEDEC-95
To-220AB
Tensione del gate alla sorgente (VGS)
20V
DROVE CORRENT CORRENTE-MAX (ABS) (ID)
55a
Svuotare la tensione di rottura della sorgente
60V
Corrente di scarico pulsato-max (IDM)
200a
Tensione a doppia alimentazione
60V
VG nominale
3 v
Altezza
9.15mm
Lunghezza
10,4 mm
Larghezza
4,6 mm
Raggiungere svhc
Nessun svhc
Indurimento da radiazioni
NO
Stato ROHS
ROHS3 conforme
Senza piombo
Senza piombo

Componenti comparabili

Numero parte
Produttore
Montare
Pacchetto / caso
Corrente di scarico continuo (ID)
Corrente - scarico continuo (ID) @ 25 ° C.
Tensione di soglia
Tensione del gate alla sorgente (VGS)
Dissipazione del potere
Dissipazione di potenza-Max
STP55NF06
Stmicroelectronics
Attraverso il buco
To-220-3
50 a
50a (TC)
3 v
20 v
30 w
110W (TC)
STP65NF06
Stmicroelectronics
Attraverso il buco
To-220-3
60 a
60A (TC)
1 v
15 v
110 w
110W (TC)
STP60NF06L
Stmicroelectronics
Attraverso il buco
To-220-3
55 a
55a (TC)
2 v
25 v
114 w
114W (TC)
STP60NF06
Stmicroelectronics
Attraverso il buco
To-220-3
60 a
60A (TC)
4 v
20 v
110 w
110W (TC)
FDP55N06
Su semiconduttore
-
To-220-3
-
60A (TC)
-
-
-
110W (TC)

Pacchetto

STP55NF06 Package

Panoramica del produttore

STMicroelectronics conduce in soluzioni per semiconduttori, mostrando una profonda conoscenza nel silicio e nei sistemi.Questa competenza li spinge in avanti nell'avanzamento della tecnologia System-on-Chip (SOC), allineandosi con i moderni progressi tecnologici.La loro competenza in silicio crea soluzioni ad alte prestazioni ed efficienti dal punto di vista energetico per varie applicazioni.Dall'elettronica di consumo ai dispositivi industriali, queste soluzioni guidano la rapida evoluzione delle tecnologie connesse, incontrando la sete di innovazioni più intelligenti e sostenibili.

STMicroelectronics svolge un ruolo notevole nella tecnologia SOC integrando le funzioni su un singolo chip, ottimizzando le prestazioni e tagliando i costi.Ciò soddisfa la domanda di elettronica efficiente, compatta e versatile.I settori automobilistico e IoT mostrano principalmente l'impatto dell'azienda sulla trasformazione delle industrie.Il settore dei semiconduttori prospera sull'incessante innovazione e adattamento.Le aziende come STMicroelectronics favoriscono l'interoperabilità dei dispositivi senza soluzione di continuità attraverso la collaborazione e l'integrazione, adattandosi ai progressi garantendo al contempo l'affidabilità e le prestazioni.Le loro strategie adattive e l'etica collaborativa offrono un modello sottile per le migliori pratiche del settore.

PDF da foglio dati

STP55NF06 Dati Schede di dati:

STX55NF06 (-1, FP) .pdf

STP65NF06 Dati Schede di dati:

STD65NF06, STP65NF06.PDF

STP60NF06L Data fogli:

STX60NF06L (FP) .pdf

STP60NF06 Dati Schede di dati:

STP60NF06.PDF

FDP55N06 Dati Schede di dati:

To220b03 Pkg Drawing.pdf

FDP55N06, FDPF55N06.PDF

Su di noi

ALLELCO LIMITED

Allelco è un unico unico a livello internazionale Distributore di servizi di approvvigionamento di componenti elettronici ibridi, impegnati a fornire componenti completi di appalti e servizi di catena di approvvigionamento per le industrie globali di produzione e distribuzione elettronica, comprese le migliori 500 fabbriche OEM e broker indipendenti.
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