IL STP55NF06 è un MOSFET a canale N altamente capace, notevole per la gestione di considerevoli flussi di corrente e per consentire azioni di commutazione rapida.Dimostra un'impressionante efficienza a causa della sua bassa resistenza.Il dispositivo inizia la conduzione con una tensione di gate di 10 V e raggiunge la massima efficienza a 20 V, posizionandolo come candidato forte per il funzionamento di carichi ad alta potenza.La sua soglia di gate di 4 V assicura che funzioni bene con i microcontrollori, ma raggiunge il meglio a 10 V, supportando la corrente continua fino a 27A.Per integrarsi senza intoppi con i microcontrollori, è consigliabile il coinvolgimento di un circuito del driver o un MOSFET a livello logico, come il 2N7002.La risposta in frequenza lodevole del dispositivo lo rende adatto ai convertitori DC-DC.
Nelle applicazioni che coinvolgono MOSFET come STP55NF06, è necessaria correttamente la base del cancello per evitare innesco non intenzionali.Poiché i MOSFET si attivano e disattivano in base alla tensione, la gestione della tensione di padronanza diventa insistente.Spesso è possibile incorporare ulteriori misure protettive come i diodi Zener per stabilizzare la tensione di gate e proteggerlo rispetto alle aspre di tensione.
L'integrazione con successo con i microcontroller richiede la distribuzione strategica dei circuiti del driver.Questi circuiti affrontano le differenze tra la tensione di uscita del microcontrollore e le richieste di gate MOSFET.Un approccio comune impiega un driver che sposta il livello per colmare questo divario, garantendo l'interazione senza soluzione di continuità tra i componenti.
Caratteristica |
Specifiche |
Tipo di MOSFET |
N-channel |
Corrente di scarico continuo (ID) |
35a |
Corrente di scarico pulsato (becco ID) |
50a |
Tensione di rottura della sorgente (VDS) |
60V |
Resistenza alla sorgente di scarico (RDS) |
0,018 Ω |
Tensione di soglia del gate (VGS-Th) |
20V (max) |
Sorgi il tempo |
50 ns |
Tempo di caduta |
15 ns |
Capacità di input (CISS) |
1300 pf |
Capacità di uscita (COSS) |
300 pf |
Tipo di pacchetto |
To-220 |
I sistemi di servosterzo elettrico nei veicoli moderni migliorano sia la precisione che il comfort nella guida.MOSFET STP55NF06 svolge un ruolo notevole nell'ottimizzazione dell'utilizzo del potere e dei tempi di risposta, contribuendo così a questi miglioramenti.I conducenti spesso riportano una riduzione tangibile del consumo di carburante, poiché i sistemi EPS attirano la potenza in modo selettivo, influenzando significativamente l'efficienza del veicolo.
All'interno dell'ABS, STP55NF06 fornisce una commutazione rapida ed efficiente, utilizzata per un controllo ottimale della frenata.La sua resilienza ad alta temperatura e le capacità di commutazione rapida sono particolarmente utili nelle emergenze.I test dimostrano costantemente una migliore sicurezza prevenendo il blocco delle ruote, confermandone l'efficacia.
Nei sistemi di controllo del tergicristallo, STP55NF06 è fondamentale per operazioni precise e affidabili in varie condizioni meteorologiche.La sua capacità di gestire carichi variabili con una perdita di potenza minima garantisce una compensazione efficiente del parabrezza.Interrogati test in diversi climi dimostrano la sua efficacia nel migliorare la visibilità e la sicurezza del conducente.
STP55NF06 guida motori e compressori nei sistemi di controllo climatico con eccezionale efficienza, consentendo una gestione precisa della temperatura all'interno dei veicoli.Le capacità di risparmio energetico di questo MOSFET riducono il consumo complessivo di energia del veicolo.Le applicazioni pratiche mostrano il suo ruolo nel mantenimento del comfort mentre prolungano la durata della batteria.
I sistemi di porta di potenza sfruttano le prestazioni coerenti di STP55NF06 per operazioni fluide e affidabili.La durata del MOSFET attraverso cicli ripetuti garantisce la longevità e riduce al minimo la manutenzione.Il feedback sul campo evidenzia un minor numero di errori, portando a una maggiore soddisfazione e fiducia dei consumatori nelle porte automatizzate.
Il MOSFET STP55NF06 funziona in modo efficiente con le modeste richieste di tensione, iniziando il funzionamento intorno a 4 V.Questa funzionalità si allinea bene con le applicazioni che richiedono tensioni più basse.Se collegato a VCC, il gate richiede la conduzione;Grounding sta fermando la corrente.Se la tensione di gate scende al di sotto di 4V, la conduzione si ferma.Una resistenza a discesa, in genere vicino a 10k, garantisce che il cancello rimane messo a terra quando inattivo, sostenendo l'affidabilità.
In applicazioni pratiche, la gestione della tensione di gate stabile emerge come influente per le prestazioni.In scenari che richiedono precisione, l'integrazione di meccanismi di feedback può perfezionare le operazioni, consentendo ai sistemi di sostenere la funzionalità desiderata tra le condizioni fluttuanti.
Per mantenere il MOSFET coinvolto, il cancello si collega alla tensione di alimentazione.Se la tensione scivola sotto 4V, il dispositivo entra nella regione ohmica, fermando la conduzione.Una resistenza a discesa, come un resistore da 10k, stabilizza il circuito mantenendo il cancello a terra quando non attivo, riducendo i rischi di attivazione non intenzionale da cambiamenti di tensione improvvisi.
Tipo |
Parametro |
Stato del ciclo di vita |
Attivo (ultimo aggiornamento: 8 mesi fa) |
Tempo di consegna della fabbrica |
12 settimane |
Montare |
Attraverso il buco |
Tipo di montaggio |
Attraverso il buco |
Pacchetto / caso |
To-220-3 |
Numero di spille |
3 |
Peso |
4.535924G |
Materiale dell'elemento transistor |
SILICIO |
Corrente - drenaggio continuo (id) @ 25 ℃ |
50a tc |
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on) |
10v |
Numero di elementi |
1 |
Dissipazione di potenza (max) |
110W TC |
Disattivare il tempo di ritardo |
36 ns |
Temperatura operativa |
-55 ° C ~ 175 ° C TJ |
Confezione |
Tubo |
Serie |
Stripfet ™ II |
Codice JESD-609 |
E3 |
Stato parte |
Attivo |
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) |
1 (illimitato) |
Numero di terminazioni |
3 |
Codice ECCN |
Ear99 |
Resistenza |
18mohm |
Finitura terminale |
Stagno opaco (SN) |
Tensione - DC nominale |
60V |
Valutazione attuale |
50a |
Numero parte base |
STP55N |
Conteggio dei perni |
3 |
Configurazione dell'elemento |
Separare |
Modalità operativa |
Modalità di miglioramento |
Dissipazione del potere |
30W |
Accendi il tempo di ritardo |
20 ns |
Tipo FET |
N-channel |
Applicazione transistor |
Commutazione |
RDS su (max) @ id, vgs |
18 m ω @ 27.5a, 10V |
Vgs (th) (max) @ id |
4V @ 250μA |
Capacità di input (CISS) (max) @ VDS |
1300pf @ 25V |
Gate Charge (QG) (Max) @ VGS |
60nc @ 10v |
Sorgi il tempo |
50ns |
VGS (max) |
± 20 V. |
Tempo di caduta (tipo) |
15 ns |
Corrente di scarico continuo (ID) |
50a |
Tensione di soglia |
3v |
Codice JEDEC-95 |
To-220AB |
Tensione del gate alla sorgente (VGS) |
20V |
DROVE CORRENT CORRENTE-MAX (ABS) (ID) |
55a |
Svuotare la tensione di rottura della sorgente |
60V |
Corrente di scarico pulsato-max (IDM) |
200a |
Tensione a doppia alimentazione |
60V |
VG nominale |
3 v |
Altezza |
9.15mm |
Lunghezza |
10,4 mm |
Larghezza |
4,6 mm |
Raggiungere svhc |
Nessun svhc |
Indurimento da radiazioni |
NO |
Stato ROHS |
ROHS3 conforme |
Senza piombo |
Senza piombo |
Numero parte |
Produttore |
Montare |
Pacchetto / caso |
Corrente di scarico continuo
(ID) |
Corrente - scarico continuo
(ID) @ 25 ° C. |
Tensione di soglia |
Tensione del gate alla sorgente (VGS) |
Dissipazione del potere |
Dissipazione di potenza-Max |
STP55NF06 |
Stmicroelectronics |
Attraverso il buco |
To-220-3 |
50 a |
50a (TC) |
3 v |
20 v |
30 w |
110W (TC) |
STP65NF06 |
Stmicroelectronics |
Attraverso il buco |
To-220-3 |
60 a |
60A (TC) |
1 v |
15 v |
110 w |
110W (TC)
|
STP60NF06L |
Stmicroelectronics |
Attraverso il buco |
To-220-3 |
55 a |
55a (TC) |
2 v |
25 v |
114 w |
114W (TC) |
STP60NF06 |
Stmicroelectronics |
Attraverso il buco |
To-220-3 |
60 a |
60A (TC) |
4 v |
20 v |
110 w |
110W (TC) |
FDP55N06 |
Su semiconduttore |
- |
To-220-3 |
- |
60A (TC) |
- |
- |
- |
110W (TC) |
STMicroelectronics conduce in soluzioni per semiconduttori, mostrando una profonda conoscenza nel silicio e nei sistemi.Questa competenza li spinge in avanti nell'avanzamento della tecnologia System-on-Chip (SOC), allineandosi con i moderni progressi tecnologici.La loro competenza in silicio crea soluzioni ad alte prestazioni ed efficienti dal punto di vista energetico per varie applicazioni.Dall'elettronica di consumo ai dispositivi industriali, queste soluzioni guidano la rapida evoluzione delle tecnologie connesse, incontrando la sete di innovazioni più intelligenti e sostenibili.
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