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Padroneggiare il bfw10 30v n-channel JFET

Nel mondo dei componenti elettronici, il transistor JFET N-canale BFW10 si distingue come un dispositivo versatile per l'amplificazione e la commutazione del segnale.Costruito su una robusta tecnologia a semiconduttore, questo transistor offre un controllo efficiente del flusso di corrente attraverso i suoi terminali di gate, fonte e drenaggio, rendendolo ideale per applicazioni in cui sono essenziali la precisione e il basso rumore.Il suo design unico, che ricorda un "rubinetto" per il flusso di elettroni, garantisce una gestione accurata del segnale, miglioramento della chiarezza audio, modulazione del segnale e oscillazione della frequenza.Con le applicazioni che vanno dall'amplificazione audio ai ricevitori FM e TV, l'adattabilità del BFW10 in vari circuiti lo rende una scelta preziosa per la ricerca di prestazioni affidabili nei sistemi elettronici.

Catalogare

Panoramica JFET N-Canale BFW10

Costruito con materiale a semiconduttore, il BFW10 è un versatile transistor JFET a canale N progettato per l'amplificazione e la commutazione di segnali e potenza.Si collega a circuiti esterni tramite almeno tre terminali e gestisce il flusso di corrente regolando la tensione o la corrente tra di loro, amplificando l'ingresso in un'uscita maggiore.Il funzionamento degli assi JFET a canale n sul controllo del flusso di corrente con un campo elettrico.Qui, il terminale di gate svolge un ruolo importante, simile a un flusso di elettroni che regola il rubinetto tra sorgente e drenaggio, consentendo l'efficiente amplificazione del segnale del transistor.

Pinout

Valutazioni massime BFW10

Parametro	Simbolo	Valore	Unità
Tensione della fonte di scarico	VDS	30	VDC
Tensione di scarico	Vdg	30	VDC
Tensione del gate inversa	VGSR	-30	VDC
Corrente del gate in avanti	IGF	10	madc

Specifiche tecniche

Tipo	Parametro
Monte della superficie	NO
Temperatura operativa (max.)	175 ° C.
Raggiungere il codice di conformità	not_compliant
Polarità/tipo di canale	N-channel
Tecnologia FET	GIUNZIONE
Potenza dissipazione-max (ABS)	0,25 W.
Stato ROHS	Non conforme non roHS

Caratteristiche

Caratteristica	Specifiche
Designatori di tipo	BFW10
Tipo di transistor	Jfet
Tipo di canale di controllo	N-channel
Dissipazione massima di potenza (PD)	0,3 w
Tensione massima di drenaggio (VDS)	30 v
Tensione massima del gate-source (VGS)	30 v
Corrente di scarico massima (ID)	0,01 a
Temperatura di giunzione massima (TJ)	150 ° C.
Resistenza allo stato massima di drenaggio (RDS)	500 ohm
Pacchetto	A-72

Applicazioni

Il BFW10 funziona come un resistore variabile di tensione altamente adattabile.Viene utilizzato negli amplificatori operazionali per regolare la risposta del guadagno e della frequenza, garantendo l'uscita desiderata.Nei controller di tono, sintonizza con precisione l'uscita audio modificando i livelli di frequenza, migliorando la chiarezza e l'equilibrio del suono.Se incorporato nei circuiti logici, il BFW10 è la chiave nella gestione dei percorsi del segnale e dei livelli di tensione, influenzando le dinamiche decisionali del circuito.

All'interno dei sistemi di ricevitore FM e TV, il BFW10 svolge un ruolo attivo nei mixer.Mescola i segnali attraverso varie frequenze, facilitando la demodulazione regolare e migliorando la chiarezza del segnale.Questo componente è fondamentale per ridurre l'interferenza, un frequente ostacolo nell'elaborazione del segnale.Puoi spesso dipendere dalla sua precisione per preservare la trasmissione chiara, dimostrando un'ampia comprensione delle interazioni elettroniche dei componenti.

Diagrammi di circuiti

Equivalenti

• PTF10149

• RJK0234DNS

• SPP100N06S2-05

• SPB100N06S2-05

• SSM5N03FE

• STK0260D

• SWD5N65K

• VN10KLS

• BS170

• BFW11

• CS3N20ATH

• FHP3205

• FS10KM-12

• FS10KM-2

• FTP50N20R

• JCS12N65T

• JCS12N65CT

Usi dei transistor JFET

JFETS, o "transistor a effetto campo da giunzione", svolgono un ruolo importante nei circuiti elettronici, apprezzati per le loro proprietà distintive.A differenza dei MOSFET, i JFET non incorporano ossido di gate, portando a una corrente di gate più alta.Questa funzione offre vantaggi esatti in determinate situazioni, in particolare quando sono necessarie sottili distinzioni di prestazioni.Il design di JFETS è personalizzato per le attività che enfatizzano l'amplificazione a basso rumore.La loro struttura, priva dell'ossido di gate, facilita i vantaggi specifici, elevandoli in aree che richiedono un funzionamento silenzioso.

Amplificazione a basso rumore

In ambienti in cui la sensibilità è il centro delle prestazioni, i JFET brillano riducendo il rumore di 1/f, una sfida spesso presente a basse frequenze.La loro idoneità per gli strumenti di precisione e l'elaborazione del segnale analogico è ben riconosciuta.È possibile scegliere spesso JFET per una gestione eccezionale del rumore negli ingranaggi audio e strumenti di misurazione precisi.

Agendo come grandi resistenze

Operando in modalità di esaurimento, i JFET fungono da resistori sostanziali, analoghi alle loro controparti MOSFET.È riconosciuto il loro ruolo in applicazioni come gli switch analogici, che richiedono una resistenza stabile.Questa capacità trova un'espressione pratica in resistori controllati dalla tensione, migliorando i progetti in attenuatori e miscelatori.

Dimensioni

Produttore

Texas Instruments, con sede a Dallas, in Texas, svolge un ruolo chiave nell'industria dei semiconduttori e dei circuiti integrati.Saldamente radicato nell'innovazione tecnologica, conducono costantemente progressi, trasformando le nostre interazioni con i dispositivi elettronici.La loro vasta presenza globale offre una vasta gamma di componenti che trovano utilità in una moltitudine di applicazioni.

Un'offerta notevole da Texas Instruments è il BFW10, che esemplifica la loro dedizione alla fornitura di qualità e affidabilità.La loro variegata linea di prodotti mette in mostra un'attitudine per affrontare le esigenze complesse in vari settori, come l'elettronica di consumo e i sistemi automobilistici.Questa evoluzione del prodotto evidenzia non solo lo sviluppo tecnologico, ma anche i benefici tangibili di prestazioni ed efficienza migliorate.