Fungendo da diodo di commutazione rapido, il MMBD4148 è integrato in moderni framework di circuiti, migliorando il suo valore con un pacchetto SOT23 compatto (TO-236AB).Questa caratteristica è allettante per i progetti che richiedono efficienza spaziale, allineandosi con la tendenza in corso verso la miniaturizzazione del circuito.Man mano che la tecnologia si evolve, questi diodi consentono funzionalità più efficienti all'interno di intricati sistemi elettronici.La funzione di commutazione rapida del diodo brilla in applicazioni ad alta frequenza.Con una bassa goccia di tensione in avanti e capacità di spostamento rapido, promuove il risparmio energetico e mitiga l'accumulo termico, un fattore per la durata del sistema sotto ampio uso.Questi diodi migliorano l'affidabilità dei circuiti e la durata della vita attraverso una dissipazione di energia ridotta al minimo.
Estendendosi oltre la commutazione ad alta velocità, MMBD4148 dimostra competenza in vari circuiti, dalla logica digitale alle applicazioni RF.La sua affidabilità in queste impostazioni illustra il vantaggio di allineare i componenti scelti con esigenze di progettazione presenti e future.Quando si incorpora MMBD4148 in progetti, si concentra sulla selezione dei componenti armonizzanti con la complessità del circuito.La considerazione si estende oltre le proprietà elettriche su come questi attributi si allineano agli obiettivi del sistema generale.L'MMBD4148 è evidenziato come uno strumento importante nella moderna progettazione elettronica, in cui la fusione dell'efficienza con la miniaturizzazione è una ricerca centrale.Questo delicato equilibrio riflette la più ampia direzione del settore verso l'elettronica avanzata ma compatta, supportando sia gli standard attuali che l'innovazione futura, fornendo solide basi per nuove applicazioni.
Pin n. |
Nome |
Descrizione |
1 |
ANODO |
Piombo positivo, riceve potere |
2 |
Non connesso |
Nessuna connessione o funzione |
3 |
Catodo |
Lead negativo, completa il circuito |
L'incorporazione della capacità minima di MMBD4148 garantisce l'integrità del segnale all'interno delle applicazioni ad alta frequenza.La sua riduzione della capacità riduce efficacemente il carico su elementi adiacenti di circuito, mantenendo così l'accuratezza della forma d'onda del segnale.Evidenzia la corrente di perdita minima, la chiave per mitigare la perdita di potenza indesiderata, una preoccupazione per i dispositivi a batteria e consapevoli dell'energia.Queste caratteristiche posizionano il diodo come una scelta ottimale per i sistemi elettronici basati su precisione, in cui il risparmio energetico è una considerazione.
Con una capacità di tensione inversa che raggiunge 75 V, MMBD4148 è progettato per sopportare variazioni di tensione senza sostenere danni, promuovendo l'affidabilità negli scenari di tensione fluttuanti.Questo tratto, abbinato a una tensione di recupero inversa di picco allineato con un VRRM di 75 V, indica prestazioni sostanziali nell'eliminare la rottura sotto stress.
La selezione di MMBD4148 in un circuito sottolinea il suo equilibrio tra agilità e affidabilità.Il suo implementazione in vari ambienti elettronici contemporanei evidenzia la sua versatilità e prestazioni costanti in circostanze in cui sia la rapida reattività che la durata hanno la precedenza.Le caratteristiche del diodo si sincronizzano perfettamente con le attuali richieste di componenti compatti e affidabili, stabilendolo come opzione preferita per applicazioni tecnologiche innovative e lungimiranti.
Specifiche tecniche, caratteristiche e parametri di MMBD4148, insieme a componenti che corrispondono o assomigliano a quelli del MMBD4148.215 di Nexperia USA Inc..
Tipo |
Parametro |
Tempo di consegna della fabbrica |
4 settimane |
Pacchetto / caso |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Numero di spille |
2 |
Numero di elementi |
1 |
Pubblicato |
2009 |
Stato parte |
Attivo |
Numero di terminazioni |
3 |
Posizione terminale |
Dual |
Numero parte base |
MMBD4148 |
Codice JESD-30 |
R-PDSO-G3 |
Velocità |
Recupero veloce <= 500ns, > 200MA (IO) |
Corrente - perdita inversa @ VR |
500NA @ 75V |
Corrente in avanti |
215 mA |
Tipo di montaggio |
Monte della superficie |
Monte della superficie |
SÌ |
Materiale dell'elemento del diodo |
SILICIO |
Confezione |
Nastro e bobina (TR) |
Codice JESD-609 |
E3 |
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) |
1 (illimitato) |
Finitura terminale |
Tin (SN) |
Forma terminale |
Ala del gabbiano |
Conteggio dei perni |
3 |
Configurazione |
SEPARARE |
Tipo di diodo |
Standard |
Tensione - forward (vf) (max) @ se |
1.25V @ 150Ma |
Temperatura operativa |
-150 ° C max |
Corrente - rettificato medio (IO) |
215MA DC |
Corrente inversa di picco |
500na |
Capacità @ vr, f |
1.5pf @ 0V 1MHz |
Max Forward Surge Current (IFSM) |
4a |
Intervallo di temperatura ambiente alto |
150 ° C. |
Stato ROHS |
ROHS3 conforme |
Tempo di recupero inverso |
4ns |
Tensione inversa ripetitiva massima (VRRM) |
75v |
Tensione inversa |
75v |
Temperatura di giunzione massima (TJ) |
150 ° C. |
Altezza |
1,1 mm |
Il diodo MMBD4148 si distingue attraverso le sue rapide capacità di commutazione, rendendolo un componente preferito in diverse applicazioni che danno la priorità all'efficienza e all'affidabilità.Questo diodo dimostra costantemente prestazioni esemplari all'interno di numerosi circuiti elettronici, ricoprendo ruoli oltre le sue funzioni.
Il ricorso di MMBD4148 in contesti di commutazione ad alta velocità è radicato nella sua capacità di transizione tra stati con latenza trascurabile. Tale commutazione rapida migliora i circuiti digitali in cui il tempismo esatto è una necessità.Incorporare questo diodo in microcontrollori o unità di elaborazione del segnale digitale può perfezionare le prestazioni mentre si conserva l'alimentazione per dispositivi a batteria.Nel corso della storia, tali diodi sono stati integrati nei progetti di circuiti per migliorare le funzioni del gate logico, svolgendo un ruolo senza soluzione di continuità nei circuiti del cambio a livello logico.L'evoluzione dell'elettronica di consumo, in cui la riduzione della dimensione e la velocità sono grandi, beneficia dei progetti che sfruttano il ritardo di propagazione ridotto al minimo.
MMBD4148 prospera nella commutazione degli scopi generali a causa della sua adattabilità attraverso vari spettri operativi. Il suo ruolo è importante nei circuiti protettivi, fornendo una rapida risposta per evitare danni da sovratensione. Le applicazioni comprendono sistemi automobilistici, macchinari industriali ed elettronica di consumo, dove spesso funge da elemento protettivo in più configurazioni di commutazione.MMBD4148 diventa spesso la scelta preferita per la gestione delle richieste di applicazioni versatili mantenendo le prestazioni.Diventa evidente che l'affidabilità di questo diodo provoca meno guasti dei componenti e longevità del dispositivo esteso.MMBD4148 contribuisce principalmente a soluzioni di commutazione ad alta velocità e per scopi generali, il suo ruolo è ottimo nella salvaguardia delle prestazioni e della protezione attraverso una varietà di sistemi elettronici.
I circuiti di test per il diodo MMBD4148 apre possibilità di approfondire i suoi tratti di recupero e le caratteristiche di tensione di recupero in avanti.Questi elementi influenzano le sue prestazioni nelle applicazioni a commutazione rapida.Impegnarsi in un regime di test rivela spesso dettagli intricati che possono aiutare a personalizzare i diodi per usi particolari, elevando così l'efficienza dei circuiti.
Le parti elencate di seguito hanno specifiche paragonabili a quelle del MMBD4148.215 di Nexperia USA Inc. e MMBD4148.
Numero parte |
Produttore |
Pacchetto / caso |
Corrente - rettificato medio
(Io) |
Tempo di recupero inverso |
Stato ROHS |
Livello di sensibilità all'umidità
(MSL) |
Numero di terminazioni |
Materiale dell'elemento del diodo |
Tipo di diodo |
MMBD4148.215 |
Nexperia USA Inc. |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
215MA (DC) |
4ns |
ROHS3 conforme |
1 (illimitato) |
3 |
SILICIO |
Standard |
MMBD3004S-13-F |
Diodi incorporati |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
300 mA (DC) |
4 ns |
ROHS3 conforme |
1 (illimitato) |
3 |
SILICIO |
Standard |
MMBD7000HC-7-F |
Diodi incorporati |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
200MA (DC) |
4 ns |
ROHS3 conforme |
1 (illimitato) |
3 |
SILICIO |
Standard |
MMBD7000-E3-08 |
Divisione di diodes Vishay a semiconduttore |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
225MA (DC) |
50 ns |
ROHS3 conforme |
1 (illimitato) |
3 |
SILICIO |
Standard |
MMBD914-E3-08 |
Divisione di diodes Vishay a semiconduttore |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
- |
4 ns |
ROHS3 conforme |
1 (illimitato) |
3 |
SILICIO |
Standard |
Nexperia ha scolpito il suo posto come entità di spicco nel regno dei semiconduttori, venerata per la creazione di dispositivi discreti, logici e MOSFET.Questi componenti si fanno strada in innumerevoli applicazioni, che si estendono dai gadget a sistemi industriali intricati.La dedizione dell'azienda ai processi di produzione eccezionali fa eco al suo impegno ad affrontare l'appetito globale in crescita per l'elettronica avanzata.Questa dedizione si manifesta nelle loro ampie capacità di produzione, che collocano costantemente la nexperia all'avanguardia dei progressi del settore.L'impatto di Nexperia va oltre i loro risultati diretti, influenzando le tendenze del settore più ampie.I loro progressi nei dispositivi discreti e logici possono spingere i cambiamenti nelle filosofie di progettazione elettronica e spingere altri produttori a aumentare i loro standard di qualità e ambientali.La nexperia è ben posizionata per continuare come una forza influente, potenzialmente modellando le future direzioni tecnologiche con la loro costante dedizione all'eccellenza e la risposta agile alle spostamenti delle esigenze del mercato.
I diodi di commutazione ad alta velocità svolgono un ruolo nel panorama dell'elettronica moderna, offrendo transizioni senza soluzione di continuità gestendo agevolmente tensioni inverse di picco che raggiungono fino a 100 volt e sostenendo correnti in avanti fino a 450 milliamperes.Il loro contributo è innegabile nell'elevare la velocità operativa dei dispositivi che prosperano sull'elaborazione rapida dei dati.Ottimizzando attentamente questi attributi, i produttori si sforzano di migliorare le prestazioni del dispositivo limitando la dissipazione di potenza, una sfida sempre presente nella progettazione di microelettronica.
I diodi del rettificatore e i soppressori transitori sono favoriti in scenari a commutazione rapida a causa della loro eccezionale capacità di operare a velocità di livello nanosecondo.La loro rapida transizione tra gli stati On e OFF li rende preziosi in ambienti che richiedono un funzionamento ad alta frequenza, come nelle unità di alimentazione e nei sistemi di elaborazione del segnale.Il design di questi diodi è anche meticoloso, concentrandosi sulla riduzione della capacità parassita e dell'induttanza, fattori noti per compromettere la funzionalità.
Il diodo MMBD4148 è riconosciuto per la sua competenza come una soluzione di commutazione ad alta velocità, offerta in un piccolo pacchetto SOT23 (TO-236AB) per la superficie (TO-236AB) su misura per l'integrazione in layout di circuiti densamente disposti.Questo fattore di forma compatto supporta la progettazione ad alta densità ottimizzando la regolazione termica.Il suo design robusto soddisfa le esigenze delle applicazioni in cui la precisione e la durata sono di grande importanza.Il passaggio a pacchetti montati su superficie ha storicamente trasformato la tecnologia di circuiti, facilitando la miniaturizzazione dei componenti senza compromettere le prestazioni.Pertanto, MMBD4148 emerge come candidato ideale per migliorare l'efficienza e l'affidabilità del circuito attraverso una moltitudine di implementazioni tecnologiche.
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