IL IRLML6402 è un MOSFET di potenza HEXFET a canale P progettato per funzionare a -20 V.È racchiuso in un pacchetto Micro3 elegante e minimo (SOT-23).Questo MOSFET presenta con orgoglio una resistenza di ondata incredibilmente bassa rispetto alle sue dimensioni compatte, insieme alla resilienza e alle capacità di commutazione rapida.Questi elementi rendono il MOSFET un'opzione versatile per migliorare sia l'efficienza che l'affidabilità in una vasta gamma di contesti, come gestione della batteria, dispositivi portatili, schede PCMCIA e circuiti stampati compatti.
Le tecniche di produzione all'avanguardia da parte di raddrizzatore internazionale ottengono una riduzione eccezionale della resistenza.Questa funzione, combinata con la commutazione rapida e il design robusto tipico dei MOSFET HEXFET®, offre un mezzo prezioso per la gestione dell'alimentazione e del carico su numerosi dispositivi.Il pacchetto Micro3, con il suo telaio di piombo termicamente ottimizzato, garantisce che occupa le impronte più piccole del settore, adattando perfettamente applicazioni limitate allo spazio.Il suo basso profilo, che misura meno di 1,1 mm, ospita i design elettronici più eleganti fornendo prestazioni termiche superiori e gestione dell'alimentazione.
Negli scenari reali, l'IRLML6402 dimostra il valore dei sistemi di gestione delle batterie migliorando la longevità della batteria attraverso una perdita di potenza ridotta al minimo.Allo stesso modo nei dispositivi portatili, le sue dimensioni minime e le prestazioni efficaci svolgono un ruolo nell'estensione della durata e dell'affidabilità dei dispositivi.Per coloro che sono coinvolti nella progettazione di sistemi elettronici, l'integrazione di tali componenti può facilitare significativamente il flusso di lavoro, garantendo la funzione dei dispositivi all'interno dei parametri termici ideali.
Caratteristica |
Descrizione |
Tipo |
MOSFET P-Canale |
Pacchetto |
Impronta SOT-23 |
Profilo |
Profilo basso (<1.1mm) |
Confezione |
Disponibile in nastro e bobina |
Commutazione |
Commutazione rapida |
Conformità |
Senza piombo, senza alogeno |
Tensione da scarico a fonte (VDS) |
-20V |
Tensione gate-to-source (VGS) |
± 12V |
On Resistance (RDS (ON)) |
80MΩ a VGS -2.5V |
Dissipazione di potenza (PD) |
1,3 W a 25 ° C. |
Corrente di scarico continuo (ID) |
-3.7a a VGS -4,5 V e 25 ° C |
Intervallo di temperatura di giunzione operativa |
-55 ° C a 150 ° C. |
Fattore di derating termico |
0,01W/° C. |
Tecnologie Infineon IRLML6402TR Specifiche e attributi Tabella.
Tipo |
Parametro |
Tipo di montaggio |
Monte della superficie |
Pacchetto / caso |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Monte della superficie |
SÌ |
Materiale dell'elemento transistor |
SILICIO |
Corrente - drenaggio continuo (id) @ 25 ℃ |
3.7a TA |
Numero di elementi |
1 |
Temperatura operativa (max.) |
150 ° C. |
Confezione |
Taglio nastro (CT) |
Serie |
Hexfet® |
Pubblicato |
2003 |
Codice JESD-609 |
E3 |
Stato parte |
Obsoleto |
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) |
1 (illimitato) |
Numero di terminazioni |
3 |
Codice ECCN |
Ear99 |
Finitura terminale |
Stagno opaco (SN) |
Funzione aggiuntiva |
Alta affidabilità |
Posizione terminale |
Dual |
Forma terminale |
Ala del gabbiano |
Piccola temperatura di reflow (cel) |
260 |
Time @ Peak Reflow Temp-Max (S) |
30 |
Codice JESD-30 |
R-PDSO-G3 |
Stato di qualificazione |
Non qualificato |
Configurazione |
Singolo con diodo incorporato |
Modalità operativa |
Modalità di miglioramento |
Tipo FET |
P-channel |
Applicazione transistor |
Commutazione
|
RDS su (max) @ id, vgs |
65MΩ @ 3.7A, 4.5V |
Vgs (th) (max) @ id |
1.2V @ 250μA |
Capacità di input (CISS) (max) @ VDS |
633pf @ 10V |
Gate Charge (QG) (Max) @ VGS |
12NC @ 5V |
Drana su Tensione di origine (VDSS) |
20V |
Codice JEDEC-95 |
To-236ab |
DROVE CORRENT CORRENTE-MAX (ABS) (ID) |
3.7a |
Drain-source su resistenza-max |
0,065Ω |
Corrente di scarico pulsato-max (IDM) |
22a |
DS Breakdown Tensione-min |
20V |
Valutazione energetica valanga (EAS) |
11 MJ |
Potenza dissipazione-max (ABS) |
1.3 W. |
Stato ROHS |
Non conforme non rohs |
Nella sfera dei dispositivi digitali 3C (computer, comunicazione, consumatore), l'IRLML6402 migliora intensamente l'efficienza energetica e la reattività del dispositivo.Gli smartphone, i laptop e le fotocamere digitali, ad esempio, dipendono da transistor a bassa tensione per aumentare la durata della batteria e ottimizzare le prestazioni.Ciò porta a esperienze migliorate, evidenti nelle perfette funzionalità multitasking dei dispositivi attuali.L'esperienza ha dimostrato che attraverso la selezione strategica dei componenti, i produttori ottengono un'armonia tra uso di potenza e durata del dispositivo.
In Medical Electronics, l'IRLML6402 si distingue per la sua affidabilità e precisione.Strumenti come macchine ad ultrasuoni portatili e sistemi di monitoraggio dei pazienti richiedono letture precise in carichi variabili, in cui un'alimentazione stabile è cruciale.Gli approfondimenti da applicazioni pratiche indicano che l'uso di componenti robusti non solo migliora le capacità dei dispositivi, ma promuove anche la fiducia nei progressi medici.
L'Internet of Things sta rimodellando i paesaggi tecnologici, con l'IRLML6402 che svolge un ruolo importante.Man mano che i dispositivi IoT si moltiplicano in case e industrie intelligenti, un'efficace gestione dell'energia diventa un must.Questo componente aiuta a ridurre l'utilizzo dell'energia migliorando al contempo la connettività e la reattività.Le osservazioni suggeriscono che una strategia coesa per il consumo di energia insieme a dispositivi innovativi di progettazione di progettazione che non sono solo efficaci ma anche promuovono la sostenibilità.
Nelle nuove soluzioni energetiche, come inverter solari e controller di turbine eoliche, l'IRLML6402 aiuta a conversione e gestione efficaci.Mentre il mondo si inclina verso l'energia rinnovabile, l'uso di dispositivi che minimizzano le perdite di potenza può accelerare la transizione.Gli apprendimenti pratici indicano che l'aumento dell'efficienza del sistema contribuisce in modo significativo alla conservazione dell'energia e all'affidabilità del sistema, sottolineando il ruolo di tali componenti negli sforzi di sostenibilità.
La compatibilità dell'IRLML6402 con diversi sistemi di batterie, come ioni di litio e idruro di nichel-metallo, è degna di nota.È utile per i sistemi di gestione delle batterie che necessitano di un controllo preciso sui processi di ricarica e scarica.Gli scenari effettivi evidenziano il significato della scelta dei transistor appropriati per prolungare la durata della batteria al contempo la sicurezza.Questa esatta comprensione della tecnologia della batteria guida le selezioni di progettazione che portano a prestazioni migliorate e adempimento delle tue aspettative.
Per la gestione del carico, l'IRLML6402 offre notevoli vantaggi nel controllo della distribuzione di energia attraverso i circuiti.Facilita un'allocazione efficiente dell'energia evitando al contempo sovraccarichi di sistema, prevenendo così i guasti.Gli approfondimenti dei sistemi di distribuzione dell'energia rivelano che la gestione del carico strategico migliora la resilienza generale del sistema, mostrando la capacità del componente di supportare la distribuzione bilanciata dell'energia.
Nell'elettronica portatile, il design leggero e compatto dell'IRLML6402 consente configurazioni di prodotti innovativi senza sacrificare le prestazioni.Wedables e caricabatterie portatili beneficiano di capacità di commutazione rapide, culminando in un minor consumo di energia.Le esperienze di progettazione dimostrano che la partecipazione alle tue preferenze può guidare la scelta e la disposizione dei componenti ottimali all'interno dei prodotti.
Nelle applicazioni di schede PCMCIA, l'IRLML6402 aumenta le opzioni di connettività mantenendo un utilizzo di potenza minimo.Questa flessibilità è attiva per i dispositivi che richiedono un'elevata larghezza di banda e adattabilità.Il progresso in corso della tecnologia di comunicazione richiede componenti che possono tenere il passo con rapidi progressi, illustrando il vantaggio della selezione dei componenti saggi.
Per i progetti di circuiti consapevole dello spazio, l'IRLML6402 è per lo più adatto, dato il premio sul settore immobiliare.La sua efficienza consente una densità di prestazioni più elevate, una necessità nell'elettronica compatta.L'adattamento dei layout dei circuiti mostra che la pianificazione meticolosa e la scelta dei componenti possono produrre dispositivi più piccoli e più potenti senza compromettere una funzione.
Nelle applicazioni di commutazione DC, l'IRLML6402 eccelle offrendo soluzioni di commutazione rapide e affidabili.I suoi tratti operativi possono portare a progetti di circuiti superiori a migliorare sia la velocità che l'efficienza.Le osservazioni sul campo suggeriscono che la comprensione delle richieste di commutazione consente la creazione di circuiti che soddisfano le tue aspettative massimizzando l'efficacia operativa.
Il ruolo dell'IRLML6402 nella commutazione del carico ne evidenzia la flessibilità.Garantisce un controllo efficace sulla distribuzione dell'energia all'interno di vari sistemi, attivo per l'integrità del sistema.Gli aneddoti del settore indicano che l'ottimizzazione della commutazione del carico può comportare un notevole risparmio energetico e una durata estesa del dispositivo, rafforzando il suo significato nell'elettronica contemporanea.
Il 1 ° aprile 1999, i semiconduttori di Siemens hanno sperimentato un rebranding trasformativo, adottando il nome Infineon Technologies.Questo spostamento rappresentava un impegno significativo per la competitività all'interno del panorama in microelettronica in continua evoluzione.Infineon è emerso come un designer e produttore di spicco, presentando un vasto portafoglio di prodotti realizzati per varie applicazioni, tra cui dispositivi logici, circuiti integrati a segnale misto e analogico e offerte discrete di semiconduttori.
Il settore della microelettronica è definito da un costante ciclo di innovazione, guidato dalla crescente domanda di soluzioni elettroniche avanzate.Infineon dimostra una consapevolezza acuta delle attuali dinamiche di mercato, concentrandosi su segmenti di crescita gravi come l'elettronica automobilistica, l'automazione industriale e l'Internet of Things (IoT).Le aziende che sfruttano efficacemente le tecnologie emergenti, tra cui l'intelligenza artificiale e l'apprendimento automatico, spesso si trovano in una posizione vantaggiosa per evolversi e prosperare.Gli investimenti mirati di Infineon nella ricerca e nello sviluppo sono una testimonianza della sua ambizione di guidare l'accusa nella creazione di innovazioni per semiconduttori di prossima generazione.
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