Spillo |
Descrizione |
1 |
Base |
2 |
Emettitore |
3 |
Collettore |
IL BFS20 è un robusto transistor NPN realizzato con precisione per applicazioni a media frequenza.Inclassato in un pacchetto di plastica SOT23, si integra perfettamente in progetti di circuiti innovativi, integrando le tue aspirazioni per soluzioni efficienti in termini di spazio.Questo imballaggio non solo isola il transistor in modo efficace, ma migliora la gestione termica, un fattore che risuona con coloro che si sforzano di ottimizzare sia le prestazioni che la longevità nei sistemi elettronici.
Il transistor è contrassegnato da un guadagno di corrente moderato abbinato a una risposta in frequenza finemente sintonizzata, adatta a diverse applicazioni sia nei circuiti analogici che di commutazione.Facilita un'amplificazione efficiente del segnale e una commutazione senza soluzione di continuità, allineamento con la ricerca di prestazioni elettroniche di picco in contesti variabili.Il talento del BFS20 per queste operazioni nasce spesso da accurate scelte di progettazione, promuovendo stabilità e affidabilità incrollabile.
In pratica, questo transistor NPN si trova spesso nel cuore dei sistemi di gestione dell'alimentazione, degli amplificatori RF e delle apparecchiature audio.Offre una miscela appagante di prestazioni e convenienza, simile al processo decisionale abile per soddisfare i parametri di riferimento per le prestazioni dettagliati, rimanendo consapevoli delle realtà di bilancio.Tali pratiche sottolineano l'intricato saldo richiesto nella selezione dei componenti in ingegneria.
Caratteristica |
Specifiche |
IC (max) |
25 Ma |
VCEO (max) |
20 v |
Capacità di feedback |
(tip.350 ss) (molto basso) |
Il transistor BFS20 è di base per le applicazioni di frequenza intermedia (IF) e molto ad alta frequenza (VHF).La sua prestazione costante supporta il suo ruolo in una gamma di tecnologie a circuito, dai tipi spessi a film sottili.Considera le comunicazioni radio;Il BFS20 garantisce l'integrità del segnale e amplifica senza distorsione sostanziale, migliorando la chiarezza.Viene anche utilizzato nelle comunicazioni televisive e satellitari per una gestione precisa della frequenza.
L'integrazione del BFS20 nelle tecnologie a circuito spesso e sottile migliora le prestazioni in impostazioni varie.Le tecnologie a film spesso beneficiano della durata e dell'efficienza del transistor in contesti ad alta potenza.Al contrario, le applicazioni a film sottile sfruttano la sua precisione, rendendolo ideale per dispositivi elettronici compatti.Questa integrazione spesso spinge progetti innovativi e estende la durata della vita del dispositivo.
• BFS20.235
Nexperia, lanciata nel 2017, ha scolpito una notevole nicchia nell'arena dei semiconduttori con la sua esperienza in discreta, logica e MOSFET.La società mette in mostra la propria abilità attraverso una sorprendente capacità di produzione di 85 miliardi di unità all'anno, dove la precisione in termini di qualità e efficienza aerodinamica è dominante.Un impegno per gli standard automobilistici è sottilmente intrecciato nei loro ingegnosi progetti di pacchetti, garantendo energia ottimizzata e efficienze termiche.
Le operazioni globali di Nexperia coprono le principali regioni tra cui Asia, Europa e Stati Uniti, impiegando una talentuosa forza lavoro di 11.000 persone.Questa portata diffusa consente loro di affrontare una base di clienti ad ampio raggio, soddisfacendo giustamente le esigenze localizzate.Un team internazionale diversificato offre un ricco arazzo di prospettive e conoscenze specializzate, alimentando l'innovazione e migliorando l'adattabilità dell'organizzazione.
L'enfasi dell'azienda sulla tecnologia di imballaggio all'avanguardia enfatizza la sua ricerca per ridefinire la gestione dell'energia e la miniaturizzazione.L'allineamento dei loro prodotti con rigorosi criteri automobilistici garantisce affidabilità e prestazioni, tratti che risuonano profondamente nel settore elettronico impegnativo.
Ecco una tabella che riassume le specifiche per il transistor BFS20.235 di Nexperia USA Inc..
Tipo |
Parametro |
Tempo di consegna della fabbrica |
4 settimane |
Contattare la placcatura |
Stagno |
Montare |
Monte della superficie |
Tipo di montaggio |
Monte della superficie |
Pacchetto / caso |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Numero di spille |
3 |
Materiale dell'elemento transistor |
Silicio |
Tensione di rottura del collettore-emettitore (VCEO) |
20V |
Numero di elementi |
1 |
Temperatura operativa |
150 ° C TJ |
Confezione |
Nastro e bobina (TR) |
Serie |
Automotive, AEC-Q101 |
Pubblicato |
2009 |
Codice JESD-609 |
E3 |
Stato parte |
Attivo |
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) |
1 (illimitato) |
Numero di terminazioni |
3 |
Codice ECCN |
Ear99 |
Dissipazione massima di potenza |
250 MW |
Posizione terminale |
Dual |
Forma terminale |
Ala del gabbiano |
Piccola temperatura di riflusso |
260 ° C. |
Frequenza |
450MHz |
Time@Peak Reflass Temperature-Max (S) |
40 |
Numero parte base |
BFS20 |
Conteggio dei perni |
3 |
Configurazione dell'elemento |
Separare |
Dissipazione del potere |
250 MW |
Guadagnare prodotto a banda |
450MHz |
Polarità/tipo di canale |
Npn |
Tipo di transistor |
Npn |
Corrente collettore massima |
25 mA |
DC Current Gain (HFE) (min) @ IC, VCE |
40 @ 7ma, 10v |
Currente - Cutoff del collettore (max) |
100NA ICBO |
Frequenza di transizione |
450MHz |
Massima tensione di rottura |
20V |
Tensione di base del collettore (VCBO) |
30V |
Tensione di base dell'emettitore (VEBO) |
4v |
Corrente di collettore continuo |
25 mA |
Indurimento da radiazioni |
NO |
Stato ROHS |
ROHS3 conforme |
Numero parte |
BFS20.235 |
BFR94A, 215 |
MSC2295-BT1G |
MSC2295-CT1G |
MSC2295-CT1 |
Produttore |
Nexperia USA Inc. |
NXP USA Inc. |
Su semiconduttore |
Su semiconduttore |
Su semiconduttore |
Montare |
Monte della superficie |
Monte della superficie |
Monte della superficie |
Monte della superficie |
Monte della superficie |
Pacchetto / caso |
TO-236-3, SC-59, ... |
TO-236-3, SC-59, ... |
TO-236-3, SC-59, ... |
TO-236-3, SC-59, ... |
TO-236-3, SC-59, ... |
Tensione di rottura dell'emettitore collettore |
20 v |
20 v |
20 v |
20 v |
- |
Corrente collettore massima |
25 Ma |
30 Ma |
30 Ma |
30 Ma |
- |
Frequenza di transizione |
450 MHz |
150 MHz |
150 MHz |
150 MHz |
- |
Dissipazione massima di potenza |
250 MW |
200 mw |
200 mw |
200 mw |
- |
Dissipazione del potere |
250 MW |
- |
- |
- |
- |
Tipo di montaggio |
Monte della superficie |
Monte della superficie |
Monte della superficie |
Monte della superficie |
Monte della superficie |
Si prega di inviare una richiesta, risponderemo immediatamente.
BFS20 è un transistor a media frequenza NPN alloggiato in un elegante pacchetto di plastica SOT23.Questo imballaggio compatto semplifica l'integrazione in una vasta gamma di sistemi elettronici, garantendo sia la robustezza che l'efficace gestione termica.La flessibilità offerta dal pacchetto SOT23 significa che BFS20 può adattarsi perfettamente a vari progetti di circuiti.Sia utilizzata nell'elettronica di consumo o nei sistemi automobilistici, la sua capacità di soddisfare diverse richieste di applicazioni ne sottolinea la sostanziale versatilità.
I transistor di giunzione bipolare (BJTS) svolgono ruoli principali nei circuiti elettronici, in gran parte funzionando come interruttori e amplificatori.BJTS eccellono nell'amplificazione del segnale, base per migliorare la resistenza del segnale.Sono efficaci nel filtrare il rumore, garantendo percorsi di segnale più puliti.Nelle attività di rettifica della potenza, i BJT gestiscono la conversione e il controllo delle correnti elettriche.Controllando il flusso di corrente attraverso la base, i BJT modulano correnti più grandi tra l'emettitore e il collettore.Questo controllo preciso è principalmente valutato nei settori delle telecomunicazioni e delle apparecchiature audio, in cui il mantenimento della chiarezza e della resistenza del segnale è della massima importanza.
La fondazione operativa dei transistor di giunzione bipolare (BJTS) si trova nelle loro due giunzioni P-N, che sono previste per un'amplificazione ottimale del segnale.I BJT sono costituiti da tre regioni: la base, il collezionista ed emettitore.L'interazione di queste regioni facilita il controllo efficiente del movimento degli elettroni e dei fori.Questa capacità consente un'amplificazione efficace del segnale, gravi in applicazioni come trasmissioni radio e amplificazione audio.La progettazione di BJTS come dispositivi controllati da corrente mostra un livello avanzato di ingegneria, ottenendo con precisione i risultati elettrici desiderati.Il modo in cui i BJT gestiscono il flusso elettrico incarna una miscela esperta di raffinamento tecnico e applicazione pratica, garantendo la loro funzionalità in una miriade di dispositivi elettronici.
su 04/11/2024
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