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CasablogTutto sul MOSFET IRF530
su 14/11/2024 86

Tutto sul MOSFET IRF530

L'IRF530, un robusto MOSFET a canale N, si distingue nel dominio dell'elettronica di potenza per la sua bassa capacità di ingresso e una ridotta carica di gate, migliorando la sua commutazione ad alta velocità ed efficienza di gestione dell'alimentazione.Ideale per applicazioni come alimentatori, controlli motori e regolamentazione della tensione, l'IRF530 fornisce prestazioni affidabili minimizzando la perdita di potenza e lo stress termico, che aumenta la durata del sistema.Questo articolo esamina le specifiche dell'IRF530, la configurazione dei pin, i vantaggi tecnici e le diverse applicazioni, offrendo approfondimenti per la ricerca di prestazioni ottimizzate in ambienti impegnativi.

Catalogare

1. Panoramica IRF530
2. Configurazione del pin
3. Modello CAD
4. Caratteristiche
5. Vantaggi dell'applicazione dell'IRF530
6. Specifiche tecniche
7. Alternative all'IRF530
8. IRF530 ESAME CIRCUITO VALUTAZIONE
9. Applicazioni
10. Packaging Insights of the IRF530
11. produttore
All About the IRF530 MOSFET

Panoramica IRF530

IL IRF530, un MOSFET a canale N all'avanguardia, attira l'attenzione nel panorama elettronico di oggi ottimizzando la ridotta capacità di ingresso e la carica di gate.Questo attributo migliora la sua idoneità come interruttore primario in sofisticati convertitori DC-DC isolati ad alta frequenza.Con una crescente necessità di un'efficace gestione dell'energia, telecomunicazioni e sistemi di elaborazione sempre più affidati all'IRF530 per facilitare le loro operazioni dinamiche.

Sfruttando un'eredità di progressi nella tecnologia dei semiconduttori, l'IRF530 offre un'opzione affidabile per le persone che aspirano a aumentare le prestazioni riducendo al minimo la spesa energetica.Eccelle nel frenare la perdita di potenza attraverso capacità di commutazione superiori, che promuove la longevità e la stabilità dei dispositivi integrati.

Le specifiche di progettazione meticolosamente realizzate in modo meticoloso dell'IRF530 soddisfano ambienti con rigorose esigenze di efficienza energetica, come le infrastrutture di telecomunicazione e l'hardware di calcolo.Puoi valutare la sua capacità di offrire costantemente output affidabili, anche in scenari ad alto stress.Ciò diventa importante nei data center, dove colpire un equilibrio nella gestione termica rappresenta una sfida notevole.

Configurazione del pin

IRF530 Pinout

Modello CAD

Simbolo

IRF530 Symbol

Impronte

IRF530 Footprint

Visualizzazione 3D

IRF530 3D Model

Caratteristiche

Caratteristica
Specifiche
Tipo di transistor
N Canale
Tipo di pacchetto
To-220AB e altri pacchetti
Tensione massima applicata (Drain-Source)
100 V
Tensione massima di gate-source
± 20 V
Corrente di scarico continuo massimo
14 a
Corrente di scarico pulsata massima
56 a
Dissipazione massima di potenza
79 W.
Tensione minima da condurre
2 v a 4 v
Resistenza massima sullo stato (Drain-Source)
0.16 Ω
Temperatura di stoccaggio e operazione
-55 ° C. a +175 ° C.

Vantaggi dell'applicazione dell'IRF530

Parametro
Descrizione
RDS tipico (ON)
0.115 Ω
Valutazione DV/DT dinamica

Tecnologia robusta da valanga
Migliorato Durabilità in condizioni di grande stress
Testato da valanga al 100%
Completamente testato per affidabilità
Accusa di gate bassa
Richiede potenza di trasmissione minima
Capacità di alta corrente
Adatto Per applicazioni ad alta corrente
Temperatura operativa
175 ° C massimo
Commutazione rapida
Presto Risposta per un funzionamento efficiente
Facilità di parallelo
Semplifica Design con mosfet paralleli
Requisiti di guida semplici
Si riduce Complessità nei circuiti di trasmissione

Specifiche tecniche

Tipo
Parametro
Montare
Attraverso Buco
Montaggio Tipo
Attraverso Buco
Pacchetto / Caso
To-220-3
Transistor Materiale elemento
SILICIO
Attuale - Dranaggio continuo (ID) @ 25 ℃
14a Tc
Guidare Tensione (max rds on, min rds on)
10v
Numero di elementi
1
Energia Dissipazione (max)
60W Tc
Giro Tempo di ritardo
32 ns
Operativo Temperatura
-55 ° C ~ 175 ° C. TJ
Confezione
Tubo
Serie
Stripfet ™ Ii
JESD-609 Codice
E3
Parte Stato
Obsoleto
Umidità Livello di sensibilità (MSL)
1 (Illimitato)
Numero di terminazioni
3
ECCN Codice
Ear99
terminale Fine
Opaco Tin (SN)
Voltaggio - DC nominale
100V
Picco Temperatura di riflusso (cel)
NON Specificato
Portata Codice di conformità
not_compliant
Attuale Valutazione
14A
Tempo @ Temperatura di riflusso del picco - Max (S)
NON Specificato
Base Numero parte
IRF5
Spillo Contare
3
JESD-30 Codice
R-PSFM-T3
Qualificazione Stato
Non Qualificato
Elemento Configurazione
Separare
Operativo Modalità
Miglioramento Modalità
Energia Dissipazione
60W
FET Tipo
N-channel
Transistor Applicazione
Commutazione
RDS Su (max) @ id, vgs
160MΩ @ 7a, 10V
VGS (Th) (Max) @ id
4v @ 250μA
Ingresso Capacità (CISS) (max) @ VDS
458pf @ 25V
Cancello Charge (QG) (Max) @ VGS
21nc @ 10V
Salita Tempo
25ns
VGS (Max)
± 20 V.
Autunno Tempo (tip)
8 ns
Continuo DRINA CORRENTE (ID)
14A
JEDEC-95 Codice
To-220AB
Cancello Per la tensione di origine (VGS)
20V
Drenare Per fonte di tensione di rottura
100V
Pulsato Corrente di scarico - Max (IDM)
56a
Valanga Valutazione energetica (EAS)
70 MJ
Rohs Stato
Non-rohs Compiacente
Guida Gratuito
Contiene Guida

Alternative all'IRF530

Numero parte
Descrizione
Produttore
IRF530F
Energia Transistor a effetto campo, 100V, 0,16ohm, 1-elemento, canno N, silicio, FET a semiconduttore di ossido di metallo, to-220ab
Internazionale Rettificatore
IRF530
Energia Transistor a effetto campo, N-canale, FET a semiconduttore di ossido di metallo
Thomson Elettronica di consumo
IRF530PBF
Energia Transistor a effetto campo, 100V, 0,16ohm, 1-elemento, canno N, silicio, FET a semiconduttore di ossido di metallo, to-220ab
Internazionale Rettificatore
IRF530PBF
Energia Transistor a effetto campo, 14A (ID), 100V, 0,16OHM, 1-elemento, n-channel, SILICON, FET a semiconduttore di ossido di metallo, TO-220AB, pacchetto conforme a ROHS-3
Vishay Intertecnologie
SIHF530-E3
Transistor 14A, 100V, 0,16OHM, N-Canale, SI, Potenza, MOSFET, TO-220AB, conforme a ROHS, TO-220, 3 pin, potenza generale FET
Vishay Siliconix
IRF530FX
Energia Transistor a effetto campo, 100V, 0,16ohm, 1-elemento, canno N, silicio, FET a semiconduttore di ossido di metallo, to-220ab
Vishay Intertecnologie
IRF530FXPBF
Energia Transistor a effetto campo, 100V, 0,16ohm, 1-elemento, canno N, silicio, FET a semiconduttore di ossido di metallo, to-220ab
Vishay Intertecnologie
SIHF530
Transistor 14A, 100 V, 0,16ohm, n-channel, si, potenza, MOSFET, to-220ab, to-220, 3 pin, FET Potere generale
Vishay Siliconix
IRF530FP
10a, 600 V, 0,16OHM, N-Canale, SI, Potenza, MOSFET, TO-220FP, 3 pin
Stmicroelectronics

Esame del circuito di valutazione IRF530

Carico induttivo non fermata

Unclamped Inductive Load Test Circuit

Tempo di commutazione con carico resistivo

Switching Times Test Circuits For Resistive Load

Valutazione della carica di gate

Gate Charge test Circuit

Applicazioni

Sistemi di alimentazione

L'IRF530 eccelle in ambienti con elevate richieste attuali, rendendolo eccezionalmente adatto a alimentatori ininterrotti (UPS).La sua competenza nella gestione delle azioni di commutazione rapida migliora sia l'efficienza che l'affidabilità.Negli scenari reali, sfruttare le capacità di questo MOSFET aiuta a evitare interruzioni di corrente e mantenere la stabilità durante interruzioni impreviste, un aspetto che ami mentre miri a salvaguardare le operazioni di base.

Meccanismi di attuazione

Nelle applicazioni di solenoide e relè, l'IRF530 è altamente vantaggioso.Gestisce precisamente i picchi di tensione e il flusso di corrente, garantendo un'accurata attivazione nei sistemi industriali.Puoi qualificare nell'attuazione meccanica e apprezzare queste qualità per aumentare la reattività dei macchinari ed estendere la durata della vita operativa.

Tecnologie di regolamentazione e di conversione della tensione

L'IRF530 è un componente formidabile per la regolazione della tensione e con le conversioni DC-DC e DC-AC.Il suo ruolo nell'ottimizzazione della conversione di potenza è prezioso, specialmente nei sistemi di energia rinnovabile in cui l'efficienza può amplificare significativamente la produzione di potenza.Spesso è possibile scavare nelle sottigliezze di modulazione di tensione per migliorare l'efficacia di conversione e la durata del sistema di favorire.

Applicazioni di controllo del motore

All'interno delle applicazioni di controllo del motore, l'IRF530 è necessario.La sua gamma si estende dai veicoli elettrici alla produzione di robotica, facilitando la modulazione della velocità precisa e la gestione della coppia.È possibile distribuire frequentemente questo componente, sfruttando i suoi tratti a commutazione rapida per rafforzare le prestazioni durante la conservazione dell'energia.

Amplificazione audio ed elettronica automobilistica

Nei sistemi audio, l'IRF530 riduce al minimo la distorsione e gestisce l'output termico, garantendo che i segnali sonori sono sia chiari che amplificabili.Nell'elettronica automobilistica, gestisce le funzioni di base come l'iniezione di carburante, i sistemi di frenatura come ABS, la distribuzione degli airbag e il controllo dell'illuminazione.È possibile perfezionare queste applicazioni, veicoli di fabbricazione che sono allo stesso tempo più sicuri e più reattivi.

Gestione della batteria e sistemi di energia rinnovabile

L'IRF530 si rivela utilizzato nella ricarica e nella gestione della batteria, alla base di efficienti allocazione e stoccaggio di energia.Nelle installazioni di energia solare, mitiga le fluttuazioni e massimizza l'acquisizione di energia, risuonando con obiettivi energetici sostenibili.Nella gestione dell'energia, è possibile capitalizzare queste capacità per ottimizzare la longevità della batteria e migliorare l'integrazione del sistema.

Packaging Insights of the IRF530

Progettazione del pacchetto IRF530

IRF530 Package Outline

Specifiche meccaniche dell'IRF530

IRF530 Mechanical Data

Produttore

Stmicroelectronics è leader nella sfera dei semiconduttori, sfruttando la sua profonda conoscenza della tecnologia del silicio e dei sistemi avanzati.Questa competenza, combinata con una sostanziale banca di proprietà intellettuale, spinge innovazioni nella tecnologia System-on-Chip (SOC).Come entità chiave all'interno del dominio in continua evoluzione della microelettronica, la società funge da catalizzatore sia per la trasformazione che per il progresso.

Sfruttando il suo vasto portafoglio, la stmicroelectronics si avventura costantemente in un nuovo dominio di progettazione di chip, offuscando le linee tra possibilità e realtà.La dedizione incrollabile dell'azienda alla ricerca e allo sviluppo alimenta l'integrazione senza soluzione di continuità in soluzioni SOC semplificate ed efficienti.Queste soluzioni servono più settori, tra cui automobili e telecomunicazioni.

La società mette in mostra un focus strategico sulla creazione di soluzioni specifiche del settore, riflettendo una forte consapevolezza delle distinte esigenze e ostacoli che affrontano vari settori mentre navigano in modo rapido che cambiano terreni tecnologici.La loro incessante ricerca di innovazione e impegno per la sostenibilità trova espressione nello sviluppo in corso di nuove soluzioni.Questi sforzi sono dedicati alla produzione di tecnologie più efficienti dal punto di vista energetico e resiliente, sottolineando il valore dell'adattabilità nel mantenere un vantaggio competitivo.

PDF da foglio dati

Festi di dati IRF530:

IRF530.pdf

Schede dati IRF530PBF:

IRF530.pdf

Su di noi

ALLELCO LIMITED

Allelco è un unico unico a livello internazionale Distributore di servizi di approvvigionamento di componenti elettronici ibridi, impegnati a fornire componenti completi di appalti e servizi di catena di approvvigionamento per le industrie globali di produzione e distribuzione elettronica, comprese le migliori 500 fabbriche OEM e broker indipendenti.
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Domande frequenti [FAQ]

1. Cos'è IRF530?

L'IRF530 è un potente MOSFET a canale N realizzato per la gestione di correnti continue fino a 14A e tensioni durature che raggiungono 100 V.Il suo ruolo è notevole nei sistemi di amplificazione audio ad alta potenza, in cui la sua affidabilità e l'efficienza operativa contribuiscono notevolmente alle richieste di prestazioni.Puoi riconoscere la sua resilienza in ambienti impegnativi, favorendolo all'interno delle applicazioni elettroniche sia industriali che di consumo.

2. Dove vengono usati i MOSFET?

I MOSFET costituiscono una parte utile dell'elettronica automobilistica, spesso fungendo da componenti di commutazione all'interno di unità di controllo elettroniche e funzionando come convertitori di alimentazione nei veicoli elettrici.La loro velocità ed efficienza superiori rispetto ai componenti elettronici tradizionali sono ampiamente riconosciuti.Inoltre, i MOSFET si accoppiano con IGBT in numerose applicazioni, contribuendo in modo significativo alla gestione dell'alimentazione e all'elaborazione del segnale in una varietà di settori.

3. Come IRF520 a lungo termine in modo sicuro in un circuito?

Il mantenimento della longevità operativa dell'IRF530 implica la gestione di almeno il 20% al di sotto delle sue valutazioni massime, con correnti mantenute a meno di 11,2a e tensioni inferiori a 80 V.L'impiego di un adeguato dissipatore di calore aiuti nella dissipazione del calore, che è necessario per prevenire problemi legati alla temperatura.Garantire che le temperature operative vanno da -55 ° C a +150 ° C aiuta a preservare l'integrità del componente, estendendo così la sua durata di servizio.I professionisti spesso evidenziano queste precauzioni come attive per garantire prestazioni coerenti e affidabili.

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