IL 1N5711 Il diodo fonde in modo complesso metallo e silicio, permettendole di ottenere non solo una notevole tensione di rottura, ma anche capacità di commutazione notevolmente rapide.La sua efficace applicazione nei compiti di rilevamento e impulso UHF/VHF è dovuta al suo ampio intervallo operativo.Il pacchetto DO-35 del diodo offre affidabilità con una soglia di corrente in avanti di 15Ma abbinata a una tensione in avanti di 0,41 V.Con la sua compatibilità con le metodologie a piombo standard, c'è una facilità nel suo utilizzo per i processi di montaggio a foro, aggiungendo al suo fascino funzionale e contribuendo a un senso di soddisfazione ingegneristica.
Il diodo 1N5711 include uno strato di protezione fortificato che migliora la sua capacità di resistere a improvvise ondate di tensione.Questo strato riduce il rischio di danni da bruschi picchi di tensione, offrendo al diodo una vita operativa più lunga.Tale progetto di precedenti guasti elettronici a causa di una protezione da sovratensione insufficiente, che spesso ha comportato costosi tempi di inattività e riparazioni.
Ciò che distingue veramente il 1N5711 è la sua tensione di attivazione notevolmente bassa.Questa funzione consente al diodo di avviare il flusso di corrente con una tensione minima, prestandosi bene a progetti di circuiti ad alta efficienza energetica.Nell'elettronica contemporanea in cui la conservazione dell'energia è spesso in prima linea, questa proprietà contribuisce a ridurre le spese operative e prolungando la durata della batteria minimizzando le perdite di potenza durante le conversioni di tensione.
La velocità di commutazione a livello di picosecondo ultravecondo del diodo è una caratteristica definitiva.Questa rapida commutazione consente transizioni immediate, che sono buone in applicazioni ad alta frequenza, in particolare RF e circuiti a microonde.Riducendo al minimo la latenza, migliora la velocità e le prestazioni dei dispositivi elettronici.Questa funzione è una testimonianza dei continui miglioramenti della tecnologia dei semiconduttori, facendo eco alla progressione del settore verso componenti più agili e reattivi.
Tipo |
Parametro |
Tempo di consegna della fabbrica |
15 settimane |
Montare |
Attraverso il buco |
Numero di spille |
2 |
Materiale dell'elemento del diodo |
SILICIO |
Numero di elementi |
1 |
Confezione |
Nastro e bobina (TR) |
Stato parte |
Attivo |
Numero di terminazioni |
2 |
Codice ECCN |
Ear99 |
Codice HTS |
8541.40.00.70 |
Tensione - DC nominale |
70 V. |
Valutazione attuale |
15 mA |
Conteggio dei perni |
2 |
Contattare la placcatura |
Stagno |
Pacchetto / caso |
Do-204ah, do-35, assiale |
Peso |
4.535924G |
Tensione di rottura / V |
70 V. |
Temperatura operativa |
-65 ° C ~ 200 ° C TJ |
Codice JESD-609 |
E3 |
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) |
1 (illimitato) |
Terminazione |
Assiale |
Funzione aggiuntiva |
Commutazione rapida |
Capacità |
2pf |
Forma terminale |
FILO |
Numero parte base |
1N57 |
Polarità |
Standard |
Tipo di diodo |
Schottky - single |
Corrente di output |
15 mA |
Corrente in avanti |
15 mA |
Tensione in avanti |
1V |
Corrente inversa di picco |
200na |
Capacità @ vr, f |
2pf @ 0V 1MHz |
Diametro esterno |
1,93 mm |
Tensione inversa (DC) |
70 V. |
Altezza |
2 mm |
Larghezza |
2 mm |
Indurimento da radiazioni |
NO |
Senza piombo |
Senza piombo |
Dissipazione del potere |
430MW |
Connessione del caso |
ISOLATO |
Corrente di perdita inversa massima |
200na |
Tempo di recupero inverso |
100 ps |
Tensione inversa ripetitiva massima (VRRM) |
70 V. |
Tensione inversa |
70 V. |
Temperatura di giunzione massima (TJ) |
200 ° C. |
Diametro |
2 mm |
Lunghezza |
4,5 mm |
Raggiungere svhc |
Nessun svhc
|
Stato ROHS |
ROHS3 conforme |
Il diodo 1N5711 viene utilizzato nel rilevamento del segnale UHF/VHF, principalmente a causa delle sue capacità di commutazione rapida e della bassa capacità.Queste caratteristiche aiutano a raffinare e migliorare la ricezione del segnale, riflettendo il profondo desiderio di telecomunicazioni più chiare.Riducendo la distorsione del segnale, il diodo fornisce prestazioni migliorate nei sistemi di comunicazione, facendo eco a una comprensione condivisa nelle industrie in cui la chiarezza su lunghe distanze emerge spesso come punto focale.
Nelle applicazioni di impulsi, la competenza del diodo nella gestione di un'ampia gamma dinamica è una risorsa distinta.La sua rapida risposta e adattabilità al cambiamento delle intensità del segnale consentono una gestione regolare di complesse operazioni elettroniche.Le lezioni tratte da campi di progettazione di circuiti analogici e digitali mettono in evidenza l'utilità versatile del diodo, illuminando la sua gestione dinamica della gamma come percorso per raggiungere la precisione operativa e la stabilità.
1N5711 diodi proteggono con competenza i dispositivi MOS sensibili dai danni a causa di picchi di tensione, un intricato sfaccettatura del suo design.Il tempo di recupero rapido garantisce un rapido serraggio dei transitori, fornendo una barriera affidabile contro le minacce di sovratensione.Questa caratteristica è rilevante nell'elettronica di potenza, in cui l'implementazione strategica delle misure protettive diventa quasi un rituale di precisione.
La capacità del diodo per la commutazione efficiente nei circuiti a basso livello logico lo rende una scelta ottimale per frenare la perdita di potenza e aumentare l'efficienza del circuito.Nell'elettronica di consumo, beneficiano della sua capacità di sostenere l'integrità riducendo al contempo il consumo di energia, scatenando innovazioni nei progetti di dispositivi portatili.
L'esame delle varie applicazioni del diodo 1N5711 svela il suo ruolo nell'elettronica contemporanea.La sua attrezzatura di successo delle intricate sfide all'interno di diverse applicazioni evidenzia le esigenze uniche di selezione e integrazione dei componenti.Questa narrazione indica il continuo scambio tra concetti teorici e implementazione pratica, guidando i progressi nell'ingegneria elettronica.
Parte |
Produttori |
Categoria |
Descrizione |
Jantx1N5711-1 |
Microsemi |
Diodi TVS |
Jantx Series 70V 33Ma attraverso Hole Schottky Diodo - DO -35 |
Jantxv1n5711-1 |
Microsemi |
Diodi |
Diodo Schottky 70V 0.033A 2pin DO-35 |
NTE583 |
Elettronica NTE |
Diodi Schottky |
NTE Electronics NTE583 RF Schottky Diodo, singolo, 70 V,
15Ma, 1V, 2pf, DO-35 |
Uf1001-T |
Diodi incorporati |
Attraverso il foro do-204al, do-41, assiale 1 v 50 v 50 ns no
Single Lead Free |
|
1N4001G-T |
Diodi incorporati |
Attraverso foro do-204al, do-41, assiale 1 v 50 v 2 μs no
Single Lead Free |
|
1N5400-T |
Diodi incorporati |
Attraverso il foro do -201ad, assiale 1 v 50 V - nessun singolo piombo
Gratuito |
STMicroelectronics si distingue nelle innovazioni a semiconduttore all'avanguardia, modellando la progressione dei dispositivi elettronici di oggi.Questa analisi si concentra su come questa azienda migliora la connettività e l'efficienza in vari settori, rivelando impatti più ampi nella sfera tecnologica.Un'osservazione importante sorge quando si considerano la vasta gamma di offerte di STMicroelectronics: la miscela di innovazione e applicazione sottolinea la loro leadership nel settore.Sostenere questo equilibrio migliora la loro capacità di fornire soluzioni trasformative, incoraggiando altri attori dell'ecosistema a adattarsi e innovare insieme.Questo approccio strategico non solo dà loro un vantaggio competitivo, ma nutre anche una crescita collaborativa, promuovendo una transizione senza soluzione di continuità agli ambienti tecnologici futuri.
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Il 1N5711 è un diodo Schottky, notevole per la fornitura di cadute a bassa tensione in avanti e le capacità di commutazione rapida.Tali caratteristiche lo rendono adatto per configurazioni ad alta frequenza, facilitando una conversione di potenza efficiente all'interno di circuiti RF e a microonde.Riducendo al minimo le perdite di energia, questi diodi migliorano la funzionalità del sistema.
Ottimizzato per il montaggio a foro attraverso il buco, 1N5711 offre durata e affidabilità meccaniche, spesso richieste in contesti industriali.Il suo design a foro garantisce una dissipazione di calore superiore, promuovendo una longevità del dispositivo avanzata e prestazioni stabili in condizioni difficili.
Sentendo una corrente continua continua di 15 mA, la 1N5711 eccelle in scenari a bassa potenza in cui l'efficienza e la velocità sono importanti.Questa capacità supporta l'integrazione in delicati sistemi elettronici, riducendo la possibilità di danni ai componenti.
In grado di gestire fino a 70 V sotto polarità inversa, il 1N5711 fornisce resilienza contro i sovraccarichi di tensione, aiutando nella prevenzione dei guasti del circuito.Questa capacità è utile per preservare l'integrità del sistema tra picchi di tensione imprevedibili.
La caduta di tensione in avanti di 410mV nella 1N5711 consente un'efficace gestione della potenza, poiché una perdita di tensione ridotta porta a una gestione dell'energia superiore.Questo attributo è vantaggioso in applicazioni elettroniche precise in cui è necessario il risparmio energetico, migliorando le prestazioni dei circuiti.
su 04/11/2024
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